飞利浦 半导体 产品 规格
双 n-频道 增强 模式 PHN210T
TrenchMOS
TM
晶体管
图.11. sub-门槛 流 电流.
I
D
= f(v
gs)
; 情况: t
j
= 25 ˚c; v
DS
= v
GS
图.12. 典型 capacitances, c
iss
, c
oss
, c
rss
.
c = f(v
DS
); 情况: v
GS
= 0 v; f = 1 mhz
图.13. 典型 转变-在 门-承担 特性.
V
GS
= f(q
G
); 参数 v
DS
图.14. 典型 反转 二极管 电流.
I
F
= f(v
SDS
); 情况: v
GS
= 0 v; 参数 t
j
图.15. 最大 容许的 非-repetitive
avalanche 电流 (i
作
) 相比 avalanche 时间 (t
p
);
unclamped inductive 加载
012345
1e-06
1e-05
1e-04
1e-03
1e-02
1e-01
sub-门槛 传导
typmin 最大值
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1 1.1 1.2 1.3 1.4 1.5
流-源 电压, vsds (v)
源-流 二极管 电流, 如果 (一个)
tj = 25 c
150 c
vgs = 0 v
10
100
1000
0.1 1 10 100
流-源 电压, vds (v)
capacitances, ciss, coss, crss (pf)
Ciss
Coss
Crss
PHN210
0.1
1
10
1e-06 1e-05 1e-04 1e-03 1e-02
avalanche 时间, tp (s)
非-repetitive avalanche 电流, ias (一个)
25 c
VDS
ID
tp
tj 较早的 至 avalanche =125 c
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
012345678910
门 承担, qg (nc)
门-源 电压, vgs (v)
id = 2.3a
tj = 25 c
vdd = 15 v
march 1999 5 rev 1.000
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