2000 将 23 2
飞利浦 半导体 产品 规格
npn 9 ghz wideband 晶体管
BFG540W
bfg540w/x; bfg540w/xr
特性
•
高 电源 增益
•
低 噪音 图示
•
高 转变 频率
•
金 敷金属 确保
极好的 可靠性.
产品
RF front 终止 wideband 产品 在
这 ghz 范围, 此类 作 相似物 和
数字的 cellular telephones, cordless
telephones (ct2, ct3, pcn, dect,
等.), radar detectors, pagers,
satellite television tuners (satv),
matv/catv 放大器 和 repeater
放大器 在 fibre-optic 系统.
描述
npn 硅 planar 外延的
晶体管 在 4-管脚 双-发射级
sot343n 和 sot343r 塑料
包装.
标记
固定
类型 号码 代号
BFG540W N9
bfg540w/x N7
bfg540w/xr N8
管脚 描述
BFG540W
(看 图.1)
1 集电级
2 根基
3 发射级
4 发射级
bfg540w/x
(看 图.1)
1 集电级
2 发射级
3 根基
4 发射级
bfg540w/xr
(看 图.2)
1 集电级
2 发射级
3 根基
4 发射级
图.1 sot343n.
fpage
顶 视图
MBK523
21
34
图.2 sot343r.
alfpage
顶 视图
MSB842
21
43
快 涉及 数据
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
V
CBO
集电级-根基 电压 打开 发射级
−−
20 V
V
CES
集电级-发射级 电压 R
是
=0
−−
15 V
I
C
集电级 电流 (直流)
−−
120 毫安
P
tot
总的 电源 消耗 T
s
≤
85
°
C
−−
500 mW
h
FE
直流 电流 增益 I
C
= 40 毫安; v
CE
= 8 V 100 120 250
C
re
反馈 电容 I
C
= 0; v
CB
= 8 v; f = 1 MHz
−
0.5
−
pF
f
T
转变 频率 I
C
= 40 毫安; v
CE
= 8 v; f = 1 ghz; t
amb
=25
°
C
−
9
−
GHz
G
UM
最大 unilateral
电源 增益
I
C
= 40 毫安; v
CE
= 8 v; f = 900 mhz; t
amb
=25
°
C
−
16
−
dB
I
C
= 40 毫安; v
CE
= 8 v; f = 2 ghz; t
amb
=25
°
C10
−
dB
|s
21
|
2
嵌入 电源 增益 I
C
= 40 毫安; v
CE
= 8 v; f = 900 mhz; t
amb
=25
°
C14 15
−
dB
F 噪音 figure
Γ
s
=Γ
opt
; i
C
= 10 毫安; v
CE
=8v; f=2ghz
−
2.1
−
dB
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