2000 将 23 4
飞利浦 半导体 产品 规格
npn 9 ghz wideband 晶体管
BFG540W
bfg540w/x; bfg540w/xr
特性
T
j
=25
°
c 除非 否则 specified.
注释
1. G
UM
是 这 最大 unilateral 电源 增益, 假设 s
12
是 零.
2. I
C
= 40 毫安; v
CE
=8v; r
L
=50
Ω
; t
amb
=25
°
c;
一个) f
p
= 900 mhz; f
q
= 902 mhz; 量过的 在 f
(2p
−
q)
= 898 mhz 和 f
(2q
−
p)
= 904 mhz.
3. d
im
=
−
60 db (din45004b); v
p
=V
o
; v
q
=V
o
−
6 db; v
r
=V
o
−
6 db; r
L
=75
Ω
; v
CE
= 8 v; i
C
= 40 毫安;
一个) f
p
= 795.25 mhz; f
q
= 803.25 mhz; f
r
= 805.25 mhz; 量过的 在 f
(p+q
−
r)
= 793.25 mhz.
4. I
C
= 40 毫安; v
CE
= 8 v; v
o
= 275 mv; r
L
=75
Ω
; t
amb
=25
°
c;
一个) f
p
= 250 mhz; f
q
= 560 mhz; 量过的 在 f
(p + q)
= 810 mhz.
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
V
(br)cbo
集电级-根基 损坏
电压
打开 发射级; i
C
=10
µ
一个; i
E
=0 20
−−
V
V
(br)ces
集电级-发射级 损坏
电压
R
是
= 0; i
C
=40
µ
A15
−−
V
V
(br)ebo
发射级-根基 损坏
电压
打开 集电级; i
E
= 100
µ
一个; i
C
= 0 2.5
−−
V
I
CBO
集电级 截-止 电流 打开 发射级; v
CB
=8v; i
E
=0
−−
50 nA
h
FE
直流 电流 增益 I
C
= 40 毫安; v
CE
= 8 V 100 120 250
f
T
转变 频率 I
C
= 40 毫安; v
CE
= 8 v; f = 1 ghz;
T
amb
=25
°
C
−
9
−
GHz
C
c
集电级 电容 I
E
=i
e
= 0; v
CB
= 8 v; f = 1 MHz
−
0.9
−
pF
C
e
发射级 电容 I
C
=i
c
= 0; v
EB
= 0.5 v; f = 1 MHz
−
2
−
pF
C
re
反馈 电容 I
C
= 0; v
CB
= 8 v; f = 1 MHz
−
0.5
−
pF
G
UM
最大 unilateral 电源 增益;
便条 1
I
C
= 40 毫安; V
CE
= 8 v; f = 900 mhz;
T
amb
=25
°
C
−
16
−
dB
I
C
= 40 毫安; v
CE
= 8 v; f = 2 ghz;
T
amb
=25
°
C
−
10
−
dB
|s
21
|
2
嵌入 电源 增益 I
C
= 40 毫安; V
CE
= 8 v; f = 900 mhz;
T
amb
=25
°
C
14 15
−
dB
F 噪音 figure
Γ
s
=Γ
opt
; i
C
= 10 毫安; v
CE
=8v;
f = 900 MHz
−
1.3 1.8 dB
Γ
s
=Γ
opt
; i
C
= 40 毫安; v
CE
=8v;
f = 900 MHz
−
1.9 2.4 dB
Γ
s
=Γ
opt
; i
C
= 10 毫安; v
CE
=8v;
f = 2 GHz
−
2.1
−
dB
P
L1
输出 电源 在 1 db 增益
压缩
I
C
= 40 毫安; V
CE
= 8 v; f = 900 mhz;
R
L
=50
Ω
; t
amb
=25
°
C
−
21
−
dBm
ITO 第三 顺序 intercept 要点 便条 2
−
34
−
dBm
V
o
输出 电压 便条 3
−
500
−
mV
d
2
第二 顺序 交调
扭曲量
便条 4
−−
50
−
dB
G
UM
10
s
21
2
1s
11
2
–
()
1s
22
2
–
()
--------------------------------------------------------
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