1998 Oct 02 2
飞利浦 半导体 产品 规格
npn 9 ghz wideband 晶体管 bfg505; bfg505/x
特性
•
高 电源 增益
•
低 噪音 图示
•
高 转变 频率
•
金 敷金属 确保 极好的 可靠性.
产品
rf front 终止 产品 在 这 ghz 范围, 此类 作
相似物 和 数字的 cellular telephones, cordless telephones
(ct1, ct2, dect, 等.), radar detectors, pagers 和
satellite tv tuners (satv).
描述
npn 硅 planar 外延的 晶体管 在 一个 4-管脚
双-发射级 sot143b 塑料 包装.
标记
类型 号码 代号
BFG505 N33
bfg505/x N39
固定
管脚
描述
BFG505 bfg505/x
1 集电级 集电级
2 根基 发射级
3 发射级 根基
4 发射级 发射级
图.1 simplified 外形 sot143b.
handbook, 2 columns
顶 视图
MSB014
12
34
快 涉及 数据
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
V
CBO
集电级-根基 电压 打开 发射级
−−
20 V
V
CES
集电级-发射级 电压 R
是
=0
−−
15 V
I
C
集电级 电流 (直流)
−−
18 毫安
P
tot
总的 电源 消耗 T
s
≤
130
°
C
−−
150 mW
h
FE
直流 电流 增益 V
CE
=6v; i
C
= 5 毫安 60 120 250
C
re
反馈 电容 V
CB
=6v; i
C
=i
c
= 0; f = 1 MHz
−
0.2
−
pF
f
T
转变 频率 V
CE
=6v; i
C
= 5 毫安; f = 1 GHz
−
9
−
GHz
G
UM
最大 unilateral
电源 增益
V
CE
=6v; i
C
= 5 毫安;
T
amb
=25
°
c; f = 900 MHz
−
20
−
dB
V
CE
=6v; i
C
= 5 毫安;
T
amb
=25
°
c; f = 2 GHz
−
13
−
dB
S
21
2
嵌入 电源 增益 V
CE
=6v; i
c
= 5 毫安;
T
amb
=25
°
c; f = 900 MHz
16 17
−
dB
F 噪音 figure
Γ
s
=
Γ
opt
;v
CE
=6v; i
c
= 1.25 毫安;
T
amb
=25
°
c; f = 900 MHz
−
1.2 1.7 dB
Γ
s
=
Γ
opt
;v
CE
=6v; i
c
= 5 毫安;
T
amb
=25
°
c; f = 900 MHz
−
1.6 2.1 dB
Γ
s
=
Γ
opt
; v
CE
=6v; i
c
= 1.25 毫安;
T
amb
=25
°
c; f = 2 GHz
−
1.9
−
dB
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