1998 Oct 02 4
飞利浦 半导体 产品 规格
npn 9 ghz wideband 晶体管 bfg505; bfg505/x
特性
T
j
= 25
°
c 除非 否则 specified.
注释
1. G
UM
是 这 最大 unilateral 电源 增益, 假设 s
12
是 零 和
2. V
CE
= 6 v; i
C
= 5 毫安; r
L
=50
Ω
; t
amb
=25
°
c;
f
p
= 900 mhz; f
q
= 902 mhz;
量过的 在 2f
p
−
f
q
= 898 mhz 和 2f
q
−
f
p
= 904 mhz.
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
I
CBO
集电级 截-止 电流 V
CB
=6v; i
E
=0
−−
50 nA
h
FE
直流 电流 增益 I
C
= 5 毫安; v
CE
= 6 v; 看 图.3 60 120 250
C
e
发射级 电容 I
C
=i
c
=0 v
EB
= 0.5 v; f = 1 MHz
−
0.4
−
pF
C
c
集电级 电容 V
CB
=6v; i
E
=i
e
= 0; f = 1 MHz
−
0.3
−
pF
C
re
反馈 电容 I
C
= 0; v
CB
= 6 v; f = 1 mhz; 看 图.4
−
0.2
−
pF
f
T
转变 频率 I
C
= 5 毫安; v
CE
= 6 v; f = 1 ghz;
看 图.5
−
9
−
GHz
G
UM
最大 unilateral
电源 增益; 便条 1
I
C
= 5 毫安; v
CE
=6v;
T
amb
=25
°
c; f = 900 MHz
−
20
−
dB
I
c
= 5 毫安; v
CE
=6v;
T
amb
=25
°
c; f = 2 GHz
−
13
−
dB
S
21
2
嵌入 电源 增益 I
c
= 5 毫安; v
CE
=6v;
T
amb
=25
°
c; f = 900 MHz
16 17
−
dB
F 噪音 figure
Γ
s
=
Γ
opt
; i
C
= 1.25 毫安; v
CE
=6v;
T
amb
=25
°
c; f = 900 MHz
−
1.2 1.7 dB
Γ
s
=
Γ
opt
; i
C
= 5 毫安; v
CE
=6v;
T
amb
=25
°
c; f = 900 MHz
−
1.6 2.1 dB
Γ
s
=
Γ
opt
; i
C
= 1.25 毫安; v
CE
=6v;
T
amb
=25
°
c; f = 2 GHz
−
1.9
−
dB
P
L1
输出 电源 在 1 db 增益
压缩
I
C
= 5 毫安; v
CE
=6v; r
L
=50
Ω
;
T
amb
=25
°
c; f = 900 MHz
−
4
−
dBm
ITO 第三 顺序 intercept 要点 便条 2
−
10
−
dBm
G
UM
10
S
21
2
1S
11
2
–
()
1S
22
2
–
()
--------------------------------------------------------------
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