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2002 二月 04 4
飞利浦 半导体 产品 规格
pnp 一般 目的 晶体管 bc856w; bc857w; bc858w
特性
T
amb
=25
°
c; 除非 否则 speciﬁed.
便条
1. 脉冲波 测试: t
p
≤
300
µ
s;
δ≤
0.02.
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
I
CBO
集电级-根基 截-止 电流 V
CB
=
−
30 v; i
E
=0
−−
1
−
15 nA
V
CB
=
−
30 v; i
E
=0;
T
j
= 150
°
C
−−−
4
µ
一个
I
EBO
发射级-根基 截-止 电流 V
EB
=
−
5 v; i
C
=0
−−−
100 nA
h
FE
直流 电流 增益 I
C
=
−
2 毫安; v
CE
=
−
5V
BC856W 125
−
475
bc857w; bc858w 125
−
800
bc856aw; bc857aw 125
−
250
bc856bw; bc857bw 220
−
475
BC857CW 420
−
800
V
CEsat
集电级-发射级 饱和 电压 I
C
=
−
10 毫安; i
B
=
−
0.5 毫安
−−
75
−
300 mV
I
C
=
−
100 毫安; I
B
=
−
5 毫安;
便条 1
−−
250
−
600 mV
V
BEsat
根基-发射级 饱和 电压 I
C
=
−
10 毫安; i
B
=
−
0.5 毫安
−−
700
−
mV
I
C
=
−
100 毫安; I
B
=
−
5 毫安;
便条 1
−−
850
−
mV
V
是
根基-发射级 电压 I
C
=
−
2 毫安; v
CE
=
−
5V
−
600
−
650
−
750 mV
I
C
=
−
10 毫安; v
CE
=
−
5V
−−−
820 mV
C
c
集电级 电容 V
CB
=
−
10 v; i
E
=I
e
=0;
f = 1 MHz
−−
3pF
C
e
发射级 电容 V
EB
=
−
0.5 v; i
C
=I
c
=0;
f = 1 MHz
−−
12 pF
f
T
转变 频率 V
CE
=
−
5 v; i
C
=
−
10 毫安;
f = 100 MHz
100
−−
MHz
F 噪音 ﬁgure I
C
=
−
200
µ
一个; v
CE
=
−
5v;
R
S
=2k
Ω
; f = 1 khz;
B = 200 Hz
−−
10 dB

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2002 二月 04 4 飞利浦半导体产品规格 pnp 一般目的晶体管 bc856w; bc857w; bc858w 特性 T amb =25 ° c; 除非否则 speciﬁed. 便条 1. 脉冲波测试: t p ≤ 300 µ s; δ≤ 0.02. 标识参数情况最小值典型值最大值单位 I CBO 集电级-根基截-止电流 V CB = − 30 v; i E =0 −− 1 − 15 nA V CB = − 30 v; i E =0; T j = 150 ° C −−− 4 µ 一个 I EBO 发射级-根基截-止电流 V EB = − 5 v; i C =0 −−− 100 nA h FE 直流电流增益 I C = − 2 毫安; v CE = − 5V BC856W 125 − 475 bc857w; bc858w 125 − 800 bc856aw; bc857aw 125 − 250 bc856bw; bc857bw 220 − 475 BC857CW 420 − 800 V CEsat 集电级-发射级饱和电压 I C = − 10 毫安; i B = − 0.5 毫安 −− 75 − 300 mV I C = − 100 毫安; I B = − 5 毫安; 便条 1 −− 250 − 600 mV V BEsat 根基-发射级饱和电压 I C = − 10 毫安; i B = − 0.5 毫安 −− 700 − mV I C = − 100 毫安; I B = − 5 毫安; 便条 1 −− 850 − mV V 是根基-发射级电压 I C = − 2 毫安; v CE = − 5V − 600 − 650 − 750 mV I C = − 10 毫安; v CE = − 5V −−− 820 mV C c 集电级电容 V CB = − 10 v; i E =I e =0; f = 1 MHz −− 3pF C e 发射级电容 V EB = − 0.5 v; i C =I c =0; f = 1 MHz −− 12 pF f T 转变频率 V CE = − 5 v; i C = − 10 毫安; f = 100 MHz 100 −− MHz F 噪音 ﬁgure I C = − 200 µ 一个; v CE = − 5v; R S =2k Ω ; f = 1 khz; B = 200 Hz −− 10 dB

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