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2002 二月 04 5
飞利浦 半导体 产品 规格
pnp 一般 目的 晶体管 bc856w; bc857w; bc858w
handbook, halfpage
0
200
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h
FE
100
MGT711
−
10
−
2
−
10
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1
−
1
−
10
−
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2
−
10
3
I
C
(毫安)
(1)
(2)
(3)
图.2 直流 电流 增益 作 一个 函数 的 集电级
电流; 典型 值.
bc857aw;
V
CE
=
−
5v.
(1) T
amb
= 150
°
c.
(2) T
amb
=25
°
c.
(3) T
amb
=
−
55
°
c.
handbook, halfpage
0
−
1200
−
1000
−
800
−
600
−
400
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200
MGT712
−
10
−
2
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1
−
1
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2
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3
I
C
(毫安)
V
是
(mv)
(1)
(2)
(3)
图.3 根基-发射级 电压 作 一个 函数 的
集电级 电流; 典型 值.
bc857aw;
V
CE
=
−
5v.
(1) T
amb
=
−
55
°
c.
(2) T
amb
=25
°
c.
(3) T
amb
= 150
°
c.
handbook, halfpage
−
10
4
−
10
3
−
10
2
−
10
MGT713
−
10
−
1
−
1
−
10
−
10
2
−
10
3
I
C
(毫安)
V
CEsat
(mv)
(1)
(2)(3)
图.4 集电级-发射级 饱和 电压 作 一个
函数 的 集电级 电流; 典型 值.
bc857aw;
I
C
/i
B
= 20.
(1) T
amb
= 150
°
c.
(2) T
amb
=25
°
c.
(3) T
amb
=
−
55
°
c.
handbook, halfpage
MGT714
−
10
−
1
−
1
−
10
−
10
2
−
10
3
I
C
(毫安)
0
−
1200
−
1000
−
800
−
600
−
400
−
200
V
BEsat
(mv)
(1)
(2)
(3)
图.5 根基-发射级 饱和 电压 作 一个
函数 的 集电级 电流; 典型 值.
bc857aw;
I
C
/i
B
= 20.
(1) T
amb
=
−
55
°
c.
(2) T
amb
=25
°
c.
(3) T
amb
= 150
°
c.

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2002 二月 04 5 飞利浦半导体产品规格 pnp 一般目的晶体管 bc856w; bc857w; bc858w handbook, halfpage 0 200 300 400 500 h FE 100 MGT711 − 10 − 2 − 10 − 1 − 1 − 10 − 10 2 − 10 3 I C (毫安) (1) (2) (3) 图.2 直流电流增益作一个函数的集电级电流; 典型值. bc857aw; V CE = − 5v. (1) T amb = 150 ° c. (2) T amb =25 ° c. (3) T amb = − 55 ° c. handbook, halfpage 0 − 1200 − 1000 − 800 − 600 − 400 − 200 MGT712 − 10 − 2 − 10 − 1 − 1 − 10 − 10 2 − 10 3 I C (毫安) V 是 (mv) (1) (2) (3) 图.3 根基-发射级电压作一个函数的集电级电流; 典型值. bc857aw; V CE = − 5v. (1) T amb = − 55 ° c. (2) T amb =25 ° c. (3) T amb = 150 ° c. handbook, halfpage − 10 4 − 10 3 − 10 2 − 10 MGT713 − 10 − 1 − 1 − 10 − 10 2 − 10 3 I C (毫安) V CEsat (mv) (1) (2)(3) 图.4 集电级-发射级饱和电压作一个函数的集电级电流; 典型值. bc857aw; I C /i B = 20. (1) T amb = 150 ° c. (2) T amb =25 ° c. (3) T amb = − 55 ° c. handbook, halfpage MGT714 − 10 − 1 − 1 − 10 − 10 2 − 10 3 I C (毫安) 0 − 1200 − 1000 − 800 − 600 − 400 − 200 V BEsat (mv) (1) (2) (3) 图.5 根基-发射级饱和电压作一个函数的集电级电流; 典型值. bc857aw; I C /i B = 20. (1) T amb = − 55 ° c. (2) T amb =25 ° c. (3) T amb = 150 ° c.

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