飞利浦 半导体 产品 规格
逻辑 水平的 topfet buk119-50dl
限制的 值
限制的 值 在 一致 和 这 绝对 最大 比率 系统 (iec 134)
标识 参数 情况 最小值 最大值 单位
V
DS
持续的 流 源 电压
1
-50v
I
D
持续的 流 电流 V
是
= 5 v; t
mb
=
25
˚
C - 自 - 一个
限制
I
D
持续的 流 电流 V
是
= 5 v; t
mb
≤
121
˚
C - 20 一个
I
I
持续的 输入 电流 -5 5 毫安
I
IRM
repetitive 顶峰 输入 电流
δ
≤
0.1, tp = 300
µ
s -50 50 毫安
P
D
总的 电源 消耗 T
mb
≤
25
˚
C - 90 W
T
stg
存储 温度 -55 175
˚
C
T
j
持续的 接合面 温度
2
正常的 运作 - 150
˚
C
T
出售
含铅的 温度 在 焊接 - 260
˚
C
静电释放 限制的 值
标识 参数 情况 最小值 最大值 单位
V
C
静电的 释放 电容 人 身体 模型; - 2 kV
电压 c = 250 pf; r = 1.5 k
Ω
超（电）压 夹紧 限制的 值
在 一个 流 源 电压 在之上 50 v 这 电源 场效应晶体管 是 actively 转变 在 至 clamp 超（电）压 过往旅客.
标识 参数 情况 最小值 最大值 单位
inductive 加载 转变-止
I
DM
= 20 一个; v
DD
≤
20 v
E
DSM
非-repetitive 夹紧 活力 T
mb
≤
25
˚
C - 350 mJ
E
DRM
repetitive 夹紧 活力 T
mb
≤
95
˚
c; f = 250 hz - 45 mJ
超载 保护 限制的 值
和 一个 足够的 保护 供应 提供 通过 这 输入 管脚, topfet 能 保护 它自己 从 二 类型 的 超载
- overtemperature 和 短的 电路 加载.
标识 参数 必需的 情况 最小值 最大值 单位
V
DS
流 源 电压
3
4 v
≤
V
是
≤
5.5 v 0 35 V
热的 典型的
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
热的 阻抗
R
th j-mb
接合面 至 挂载 根基 - - 1.25 1.39 k/w
1
较早的 至 这 onset 的 超（电）压 夹紧. 为 电压 在之上 这个 值, safe 运作 是 限制 用 这 超（电）压 夹紧 活力.
2
一个 高等级的 t
j
是 允许 作 一个 超载 情况 但是 在 这 门槛 t
j(至)
这 在 温度 trip 运作 至 保护 这 转变.
3
所有 控制 逻辑 和 保护 功能 是 无能 在 传导 的 这 源 流 二极管.
将 2001 2 rev 1.900
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