飞利浦 半导体 产品 规格
逻辑 水平的 topfet buk119-50dl
输出 特性
限制 是 为 -40
˚
C
≤
T
mb
≤
150
˚
c; typicals 是 为 t
mb
= 25
˚
c 除非 否则 指定
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
止-状态
V
是
= 0 v
V
(cl)dss
流-源 夹紧 电压 I
D
= 10 毫安 50 - - V
I
DM
= 4 一个; t
p
≤
300
µ
s;
δ
≤
0.01 50 60 70 V
I
DSS
流 源 泄漏 电流 V
DS
= 40 v - - 100
µ
一个
T
mb
= 25
˚
C - 0.1 10
µ
一个
在-状态
V
是
≥
4.4 v; t
p
≤
300
µ
s;
δ
≤
0.01
R
ds(在)
流-源 阻抗 I
DM
= 10 一个 - - 52 m
Ω
T
mb
= 25
˚
C - 22 28 m
Ω
超载 特性
V
是
= 5 v; t
mb
= 25
˚
c 除非 否则 指定.
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
短的 电路 加载
I
D
流 电流 限制的 V
DS
= 13 v 28.5 43 57 一个
4.4 v
≤
V
是
≤
5.5 v; 21 - 65 一个
-40
˚
C
≤
T
mb
≤
150
˚
C
超载 保护
P
d(至)
超载 电源 门槛 设备 trips 如果 p
D
> p
d(至)
75 185 250 W
T
DSC
典型的 时间 这个 确定 trip 时间
1
200 380 600
µ
s
overtemperature 保护
T
j(至)
门槛 接合面 150 170 -
˚
C
温度
2
1
trip 时间 t
d sc
varies 和 超载 消耗 p
D
符合 至 这 formula t
d sc
≈
T
DSC
/ ln[ p
D
/ p
d(至)
].
2
这个 是 独立 的 这 dv/dt 的 输入 电压 v
是
.
将 2001 3 rev 1.900
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