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资料编号:1086454
 
资料名称:IRF7422D2
 
文件大小: 122522K
   
说明
 
介绍:
FETKY MOSFET & Schottky Diode TM
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
IRF7422D2
www.irf.com 3
图 3.
典型 转移 特性
图 4.
normalized 在-阻抗
vs. 温度
图 2.
典型 输出 特性
图 1.
典型 输出 特性
电源 场效应晶体管 特性
0.1
1
10
100
0.01 0.1 1 10 100
D
DS
20µs 脉冲波 宽度
T=25
°
C
一个
-i , 流-至-源 电流 (一个)
-v , 流-至-源 电压 (v)
J
VGS
- 7.5v
-5.0v
-4.0v
-3.5v
-3.0v
-2.5v
-2.0v
BOTTOM - 1.5v
-1.5v
0.1
1
10
100
0.01 0.1 1 10 100
D
DS
20µs 脉冲波 宽度
T=150
°
C
一个
-i , 流-至-源 电流 (一个)
-v , 流-至-源 电压 (v)
J
VGS
- 7.5v
-5.0v
-4.0v
-3.5v
-3.0v
-2.5v
-2.0v
BOTTOM - 1.5v
-1.5v
0.1
1
10
100
1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0
T=25
°
C
T=150
°
C
J
J
GS
D
一个
-i , 流-至-源 电流 (一个)
-v , 门-至-源 电压 (v)
v=-15v
20µs 脉冲波 WIDTH
DS
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 160
J
T , Juncti 温度 (
°
c)
R , 流-至-源 Resistance
ds(在)
(正常的ized)
一个
i=-3.6a
D
v=-4.5v
GS
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