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资料编号:1086454
 
资料名称:IRF7422D2
 
文件大小: 122522K
   
说明
 
介绍:
FETKY MOSFET & Schottky Diode TM
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
IRF7422D2
www.irf.com 5
图 11.
最大 有效的 瞬时 热的 阻抗, 接合面-至-包围的
电源 场效应晶体管 特性
R
DS
(在) , 流-至-源 在 阻抗 (
)
R
DS
(在) , 流-至-源 在 阻抗 (
)
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
02468
一个
I , Drain 电流 (一个)
D
v=-5.0v
GS
v=-2.5v
GS
0.04
0.06
0.08
0.10
0.12
0.14
234567
一个
GS
V , 门-至-源 电压 (v)
i=-4.3a
D
0.1
1
10
100
0.00001 0.0001 0.001 0.01 0.1 1 10 100
注释:
1. 职责 因素 D = t/t
2. 顶峰 T = P xZ +T
1 2
J DM thJA 一个
P
t
t
DM
1
2
t , Rectangular 脉冲波 持续时间 (秒)
热的 回馈 (z )
1
thJA
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
0.50
单独的 脉冲波
(热的 回馈)
图 10.
典型 在-阻抗 vs. 流
电流
图 11.
典型 在-阻抗 vs. 门
电压
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