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8/22/00
IRFR3704
smps 场效应晶体管
HEXFET
®
电源 场效应晶体管
益处
V
DSS
R
ds(在)
最大值 I
D
20V 9.5m
Ω
75A
绝对 最大 比率
标识 参数 最大值 单位
V
DS
流-源 电压 20 V
V
GS
门-至-源 电压 ± 20 v
I
D
@ t
C
= 25
°
C 持续的 流 电流, v
GS
@ 10v 75
I
D
@ t
C
= 70
°
C 持续的 流 电流, v
GS
@ 10v 63
一个
I
DM
搏动 流 电流
300
P
D
@T
C
= 25
°
C 最大 电源 消耗
90 W
P
D
@T
C
= 70
°
C 最大 电源 消耗
62 W
直线的 减额 因素 0.58 mw/
°
C
T
J
, t
STG
接合面 和 存储 温度 范围 -55 至 + 175
°
C
参数 典型值 最大值 单位
R
θ
JC
接合面-至-情况
–––
1.7
R
θ
JA
接合面-至-包围的 (pcb 挂载)*
–––
50
°
c/w
R
θ
JA
接合面-至-包围的
–––
110
热的 阻抗
* 当 挂载 在 1" 正方形的 pcb (fr-4 或者 g-10 材料) .
为 推荐 footprint 和 焊接 技巧 谈及 至 应用 便条 #an-994
d-pak i-pak
irfr3704 irfu3704
IRFU3704
过激-低 r
ds(在)
非常 低 门 阻抗
全部地 典型 avalanche 电压
和 电流
注释
通过
是 在 页 9
高 频率 直流-直流 分开的
转换器 和 同步的 整流
为 电信 和 工业的 使用
产品
高 频率 buck 转换器 为
计算机 处理器 电源
pd - 93887b