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资料编号:1087988
 
资料名称:2SD1623
 
文件大小: 34293K
   
说明
 
介绍:
PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors
 
 


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2sb1123 / 2sd1623
非.1727-2/5
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参数 标识 情况
比率
单位
最小值 典型值 最大值
增益-带宽 产品 f
T
V
CE
=(--)10v, i
C
=(--)50ma 150 MHz
输出 电容 Cob V
CB
=(--)10v, f=1mhz (22)12 pF
集电级-至-发射级 饱和 电压 V
CE
(sat) I
C
=(--)1a, i
B
=(--)50ma (--0.3)0.15 (--0.7)0.4 V
根基-至-发射级 饱和 电压 V
(sat) I
C
=(--)1a, i
B
=(--)50ma (--)0.9 (--)1.2 V
集电级-至-根基 损坏 电压 V
(br)cbo
I
C
=(--)10
µ
一个, i
E
=0 (--)60 V
集电级-至-发射级 损坏 电压 V
(br)ceo
I
C
=(--)1ma, r
=
(--)50 V
发射级-至-根基 损坏 电压 V
(br)ebo
I
E
=(--)10
µ
一个, i
C
=0 (--)6 V
转变-在 时间 t
看 指定 测试 电路. (60)60 ns
存储 时间 t
stg
看 指定 测试 电路. (450)550 ns
下降 时间 t
f
看 指定 测试 电路. (30)30 ns
切换 时间 测试 电路
--2.4
--1.6
--1.2
--0.8
--0.4
--2.0
0
0 --0.4 --0.8 --2.4--2.0--1.6--1.2
I
C
--V
CE
I
B
=0
ITR08891
2SB1123
脉冲波
--2ma
--8ma
--6ma
--4ma
--20ma
--10ma
--50ma
--1200
--800
--600
--400
--200
--1000
0
0 --2 --4 --12--10--8--6
I
C
--V
CE
I
B
=0
ITR08893
2SB1123
脉冲波
--3ma
--2ma
--1ma
--7ma
--6ma
--5ma
--4ma
1200
800
600
400
200
1000
0
024 121086
I
C
--V
CE
I
B
=0
ITR08894
2SD1623
脉冲波
3mA
2mA
1mA
7mA
6mA
5mA
4mA
2.4
1.6
1.2
0.8
0.4
2.0
0
0 0.4 0.8 2.42.01.61.2
I
C
--V
CE
I
B
=0
ITR08892
2SD1623
脉冲波
2mA
8mA
4mA
25mA
15mA
50mA
40mA
集电级-至-发射级 电压, v
CE
-- v
集电级 电流, i
C
-- 一个
集电级-至-发射级 电压, v
CE
-- v
集电级 电流, i
C
-- 一个
集电级-至-发射级 电压, v
CE
-- v
集电级 电流, i
C
-- 毫安
集电级-至-发射级 电压, v
CE
-- v
集电级 电流, i
C
-- 毫安
V
R
R
B
25v--5v
+
+
50
输入
输出
R
L
=50
100
µ
F 470
µ
F
PW=20
µ
s
10I
B1
= --10i
B2
=I
C
=500mA
(为 pnp, 这 极性 是 使反转)
I
B1
d.c.
1%
I
B2
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