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资料编号:1087988
 
资料名称:2SD1623
 
文件大小: 34293K
   
说明
 
介绍:
PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors
 
 


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2sb1123 / 2sd1623
非.1727-4/5
一个 s o
1.0
0.1
5
10
5
3
3
2
2
5
3
2
1.0 10
2573
100
257357
ITR08906
0
0.8
0.6
0.5
0.4
0.2
0 20 40 60 100 120 16014080
P
C
--Ta
IT04221
2sb1123 / 2sd1623
I
C
=2A
I
CP
=4A
10ms
1ms
100ms
直流 运作
2sb1123 / 2sd1623
Ta=25
°
C
单独的 脉冲波
为 pnp, minus sign 是 omitted
挂载 在 一个 陶瓷的 板(250mm
2
0.8mm)
集电级 电流, i
C
-- 一个
集电级-至-发射级 电压, v
CE
-- v
集电级 消耗, p
C
-- w
包围的 温度, ta
--
°
C
2
5
2
5
2
5
2
5
--1.0
--0.1
--0.01
--100
--10
23 57 7
--10
23 35
--100
2
--1000
ITR08903
V
CE
(sat) -- i
C
2SB1123
I
C
/ i
B
=20
2
5
2
5
2
5
2
5
1.0
0.1
0.01
100
10
23 57 7
10
23 35
100
2
1000
ITR08904
V
CE
(sat) -- i
C
2SD1623
I
C
/ i
B
=20
集电级 电流, i
C
-- 毫安
集电级-至-发射级
饱和 电压, v
CE
(sat) -- v
集电级 电流, i
C
-- 毫安
集电级-至-发射级
饱和 电压, v
CE
(sat) -- v
0
1.6
1.4
1.2
1.3
0.8
1.0
0.6
0.4
0.2
0 20 40 60 100 120 16014080
P
C
-- tc
IT04222
2sb1123 / 2sd1623
集电级 消耗, p
C
-- w
情况 温度, tc
--
°
C
挂载 在 一个 陶瓷的 板(250mm
2
0.8mm)
非 热温 下沉
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