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资料编号:1090797
 
资料名称:LT1910
 
文件大小: 182416K
   
说明
 
介绍:
Protected High Side MOSFET Driver
 
 


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9
LT1910
sn1910 1910fs
这 转变-在 电流 尖刺 在 c
加载
是 estimated 用:
IC
VV
RC
顶峰 加载
GTH
=
11
在哪里 v
TH
是 这 场效应晶体管 门 门槛 电压. v
G
得到 用 plotting 这 等式:
I
V
R
=
1
在 这 图表 的 门 驱动 电流 (i
) vs 门 电压
(v
) 作 显示 在 图示 6. 这 值 的 v
在 这
intersection 的 这 曲线 为 一个 给 供应 是 v
G
. 为
例子, 如果 v
+
= 24v 和 r1 = 100k, 然后 v
G
= 18.3v. 为
V
TH
= 2v, c1 = 0.1
µ
f 和 c
加载
= 1000
µ
f, 这 estimated
I
顶峰
= 1.6a. 这 二极管 和 这 第二 电阻 在 这
网络 确保 快 电流 限制 转变-止.
当 turning 止 一个 电容的 加载, 这 源 的 这
场效应晶体管 能 “hang up” 如果 这 加载 阻抗 做 不
释放 c
加载
作 快 作 这 门 是 正在 牵引的 向下.
如果 这个 是 这 情况, 一个 15v 齐纳 将 是 增加 从 门 至
源 至 阻止 v
gs(最大值)
从 正在 超过.
和 c
D
延迟 这 overcurrent trip 为 流 电流 向上 至
大概 10 • i
设置
, 在之上 这个 这 二极管 conducts
和 提供 立即的 转变-止 (看 图示 7). 至 确保
恰当的 运作 的 这 计时器, c
D
必须 是
C
T
.
APPLICATIOs i 为 atio
WUUU
图示 7. 电流 限制 延迟 时间
adding 电流 限制 延迟
当 电容的 负载 是 正在 切换 或者 在 非常 嘈杂的
环境, 它 是 desirable 至 增加 延迟 在 这 流
电流 sense path 至 阻止 false tripping (inductive
负载 正常情况下 做 不 需要 延迟). 这个 是 accomplished
用 这 电流 限制 延迟 网络 显示 在 图示 5. r
D
门 电压 (v)
0
门 驱动 电流 (
µ
一个)
300
400
500
30
50
1910 f06
200
100
0
10 20 40
600
700
800
60
V
+
= 48v
I
=
V
/10
5
V
+
= 24v
V
+
= 12v
V
+
= 8v
图示 6. 门 驱动 电流 vs 门 电压
场效应晶体管 流 电流 (1 = 设置 电流)
1
0.01
trip 延迟 时间 (1 = r
D
C
D
)
0.1
1
10
10 100
1910 f07
打印 电路 板 shunts
这 薄板 阻抗 的 1oz 铜 clad 是 大概
5 • 10
–4
/正方形的 和 一个 温度 系数 的
0.39%/
°
c. 自从 这 lt1910 流 sense 门槛 有 一个
类似的 温度 系数 (0.33%/
°
c), 这个 提供 这
possibility 的 nearly 零 tc 电流 感觉到 使用 这
“free”
流 sense 电阻 制造 输出 的 pc 查出 材料.
一个 conservative approach 是 至 使用 0.02" 的 宽度 为 各自
1a 的 电流 为 1oz 铜. 结合 这 lt1910 流
sense 门槛 和 这 1oz 铜 阻抗 结果 在
一个 简单的 expression 为 宽度 和 长度:
宽度 (1oz cu) = 0.02" • i
设置
长度 (1oz cu) = 2"
这 宽度 为 2oz 铜 将 是 halved 当 这 长度
将 仍然是 这 一样.
bends 将 是 组成公司的 在 这 电阻 至 减少
空间; 各自 bend 是 相等的 至 大概 0.6 • 这
宽度 的 一个 笔直地 长度. kelvin 连接 应当 是
运用 用 运动 一个 独立的 查出 从 这 ends 的 这
电阻 后面的 至 这 lt1910’s v
+
和 sense 管脚. 看
应用 便条 53 为 更远 信息 在 打印
电路 板 shunts.
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