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MICROMODULES
这 组装 flows 是 作 跟随:
1. dice sawing
2. dice 连结
3. 线 使牢固结合
4. Potting
5. milling (取决于 在 产品)
这 范围 的 产品 和 类型 的 micromodule
是 summarized 在 表格 1 和 表格 2. 为 大
volumes, st 是 能 至 提供 customized 单元
录音带.
传送
这 超级的 35mm metallized 环氧的 录音带 是
delivered 在 reels, 作 显示 在 图示 1. 这些
包含 所有 的 这 碎片 从 一个 号码 的 wafers,
包含 那些 碎片 那 是 建立 至 是 非-
起作用 在 测试. traceability 是 保证
用 一个 label fixed 在 这 卷轴.
这 典型 quantity 是 10,000 modules 每 卷轴,
和 priority 给 至 lot integrity 在 这 卷轴. 这
最大 quantity 是 15,000 每 卷轴.
部分 这个 是 faulty (mechanically 或者 用电气
有缺陷的) 是 identified 用 punch 孔. 这
规格 为 这 reject punch 孔 是 显示 在
图示 4 为 这 d10 micromodule, 在 图示 5 为
这 d15 micromodule, 在 图示 6 为 这 d20
micromodule, 和 在 图示 7 为 这 d22
micromodule.
录音带 joins (录音带 splicing) 是 从不 更多 比 10
每 10 metre 长度, 作 显示 在 图示 2 和
图示 3.
在 least 2.1 m 的 leader, 和 2.1 m 的 trailer 是
包含 在 各自 卷轴. 各自 是 制造 的 pvc 超级的
35 mm 录音带, 没有 metalisation, 和 是 opaque
至 infrared 和 白 明亮的.
一个 “failure” 标记 的 reject 孔 是 包含 在 这
beginning 和 终止 的 这 录音带 的 一个 最小 的 5
consecutive 单元 pitches (翻倍 positions).
modules 应当 是 贮存 在里面 这 温度
范围 -40 °c 至 + 85 °c, 为 非 更多 比 1 年.
各自 卷轴 是 packed 在 一个 antistatic 袋子, along 和
一个 desiccant 袋子, 和 一个 湿度 指示信号 card.
这个 card indicates 这 水平的 的 湿度 作 跟随:
30 - 蓝: 保护 使确信
40 - pink: renew 这 desiccant 袋子
50 - pink: 保护 非 变长 保证
三 自 adhesive 塑料 identification labels 是
连结: 一个 至 这 卷轴, 一个 至 这 antistatic 袋子,
表格 2. 记忆 card 产品
典型值e
描述 (请 看 这 单独的 产品 数据
薄板 为 全部 规格)
处理 技术 单元 样式
ST14C02C
记忆 card ic, 2 kbit (256 x 8) 串行 i
2
c 总线 可擦可编程只读存储器
1.2
µ
m CMOS d15, d20
M14C04
记忆 card ic, 4 kbit 串行 i
2
c 总线 可擦可编程只读存储器
0.6
µ
m cmos D20
M14C16
记忆 card ic, 16 kbit 串行 i
2
c 总线 可擦可编程只读存储器
0.6
µ
m cmos D20
M14C32
记忆 card ic, 32 kbit 串行 i
2
c 总线 可擦可编程只读存储器
0.6
µ
m cmos D20
M14C64
记忆 card ic, 64 kbit 串行 i
2
c 总线 可擦可编程只读存储器
0.6
µ
m cmos D22
M14128
记忆 card ic, 128 kbit 串行 i
2
c 总线 可擦可编程只读存储器
0.6
µ
m cmos D22
M14256
记忆 card ic, 256 kbit 串行 i
2
c 总线 可擦可编程只读存储器
0.6
µ
m cmos D22
ST1200 记忆 card ic, 256 位 otp 非易失存储器 和 锁-输出 3.5
µ
m nmos D10
ST1305B
记忆 card ic, 192 位 高 忍耐力 可擦可编程只读存储器
和 secure 逻辑 进入 控制
1.5
µ
m CMOS d10, d15
ST1331
记忆 card ic, 272 位 高 忍耐力 可擦可编程只读存储器
和 先进的 安全 mechanisms
1.2
µ
m cmos D10
st1333 1.2
µ
m cmos D10
st1335 1.2
µ
m CMOS d10, d15
st1336 1.2
µ
m CMOS d10, d15
M35101 非接触式的 记忆 碎片, 13.56 mhz, 2048 位 可擦可编程只读存储器 0.6
µ
m CMOS c20, c30
M35102
非接触式的 记忆 碎片 和 64-位 唯一的 id,
13.56 mhz, 2048 位 可擦可编程只读存储器
0.6
µ
m CMOS c20, c30
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