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idt6116sa/la
cmos 静态的 内存 2k (16k x 8-位) 军队, 商业的, 和 在dustrial 温度 范围
注释:
1. 0°c 至 +70°c 温度 范围 仅有的.
2. –55°c 至 +125°c 温度 范围 仅有的.
3. 这个 参数 有保证的 和 交流 加载 (图示 2) 用 设备 描绘, 但是 是 不 生产 测试.
4. 这 规格 为 t
DH
必须 是 符合 用 这 设备 供应 写 数据 至 这 内存 下面 所有 运作 情况. 虽然 t
DH
和 t
OW
值 将 相异 在 电压
和 温度, 这 真实的 t
DH
将 总是 是 小 比 这 真实的 t
OW
.
6116SA15
(1 )
6116SA20
6116LA20
6116SA25
6116LA25
6116SA35
6116LA35
标识 参数 最小值 最大值 最小值 最大值 最小值 最大值 最小值 最大值 Unit
WriteCycle
t
WC
写 循环 时间 15
____
20
____
25
____
35
____
ns
t
CW
碎片 选择 至 终止-的-写 13
____
15
____
17
____
25
____
ns
t
AW
地址 有效的 至 终止-的-写 14
____
15
____
17
____
25
____
ns
t
作
地址 设置-向上 时间 0
____
0
____
0
____
0
____
ns
t
WP
写 脉冲波 宽度 12
____
12
____
15
____
20
____
ns
t
WR
写 恢复 时间 0
____
0
____
0
____
0
____
ns
t
WHZ
(3 )
Write至Output 在 high-z
____
7
____
8
____
16
____
20 ns
t
DW
数据 至 写 时间 overlap 12
____
12
____
13
____
15
____
ns
t
DH
(4 )
Data holdfrom 写德州仪器me 0
____
0
____
0
____
0
____
ns
t
OW
(3,4)
输出 起作用的 从 终止-的-写 0
____
0
____
0
____
0
____
ns
3089 tbl 14
6116SA45
6116LA45
6116SA55
(2 )
6116LA55
(2 )
6116SA70
(2 )
6116LA70
(2 )
6116SA90
(2 )
6116LA90
(2 )
6116SA120
(2 )
6116LA120
(2 )
6116SA150
(2 )
6116LA150
(2 )
标识 参数 最小值 最大值 最小值 最大值 最小值 最大值 最小值 最大值 最小值 最大值 最小值 最大值 Unit
WriteCycle
t
WC
写 循环 时间 45
____
55
____
70
____
90
____
120
____
150
____
ns
t
CW
碎片 选择 至 终止-的-写 30
____
40
____
40
____
55
____
70
____
90
____
ns
t
AW
地址 有效的 至 终止-的-写 30
____
45
____
65
____
80
____
105
____
120
____
ns
t
作
地址 设置-向上 时间 0
____
5
____
15
____
15
____
20
____
20
____
ns
t
WP
写 脉冲波 宽度 25
____
40
____
40
____
55
____
70
____
90
____
ns
t
WR
写 恢复 时间 0
____
5
____
5
____
5
____
5
____
10
____
ns
t
WHZ
(3 )
Write至Output 在 high-z
____
25
____
30
____
35
____
40
____
40
____
40 ns
t
DW
数据 至 写 时间 overlap 20
____
25
____
30
____
30
____
35
____
40
____
ns
t
DH
(4 )
Data holdfrom 写德州仪器me 0
____
5
____
5
____
5
____
5
____
10
____
ns
t
OW
(3,4)
输出 起作用的 从 终止-的-写 0
____
0
____
0
____
0
____
0
____
0
____
ns
3089 tbl 15
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