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dsc-3089/03
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高-速 进入 和 碎片 选择 时间
– 军队: 20/25/35/45/55/70/90/120/150ns (最大值.)
– 工业的: 20/25/35/45ns (最大值.)
– 商业的: 15/20/25/35/45ns (最大值.)
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低-电源 消耗量
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电池 backup 运作
– 2v 数据 保持 电压 (la 版本 仅有的)
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生产 和 先进的 cmos 高-效能
技术
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cmos 处理 virtually 排除 alpha particle 软-错误
比率
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输入 和 输出 直接地 ttl-兼容
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静态的 运作: 非 clocks 或者 refresh 必需的
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有 在 陶瓷的 和 塑料 24-管脚 插件, 24-管脚 薄的 插件,
24-管脚 soic 和 24-管脚 soj
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军队 产品 一致的 至 mil-标准-833, 类 b
这 idt6116sa/la 是 一个 16,384-位 高-速 静态的 内存
有组织的 作 2k x 8. 它 是 fabricated 使用 idt's 高-效能,
高-可靠性 cmos 技术.
进入 时间 作 快 作 15ns 是 有. 这 电路 也 提供 一个
减少 电源 备用物品 模式. 当
CS
变得 高, 这 电路 将
automatically go 至, 和 仍然是 在, 一个 备用物品 电源 模式, 作 长
作
CS
仍然是 高. 这个 能力 提供 重大的 系统 水平的
电源 和 冷却 savings. 这 低-电源 (la) 版本 也 提供 一个
电池 backup 数据 保持 能力 在哪里 这 电路 典型地
消费 仅有的 1µw 至 4µw 运行 止 一个 2v 电池.
所有 输入 和 输出 的 这 idt6116sa/la 是 ttl-兼容. 全部地
静态的 异步的 电路系统 是 使用, 需要 非 clocks 或者 refreshing
为 运作.
这 idt6116sa/la 是 packaged 在 24-管脚 600 和 300 mil 塑料 或者
陶瓷的 插件, 24-含铅的 gull-wing soic, 和 24-lead j-bend soj 供应
高 板-水平的 包装 densities.
军队 等级 产品 是 制造的 在 遵从 至 这 最新的
版本 的 mil-标准-883, 类 b, 制造 它 ideally suited 至 军队
温度 产品 要求 这 最高的 水平的 的 效能 和
可靠性.
CS
一个
0
一个
10
i/o
0
i/o
7
OE
我们
128 X 128
记忆
排列
i/o 控制
地址
解码器
输入
数据
电路
控制
电路
地
3089 drw 01
V
CC
,
cmos 静态的 内存
16k (2k x 8-位)
IDT6116SA
IDT6116LA
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