rev. 0.4 / 8月. 20038
hy5du56422bt-d4/d43
hy5du56822bt-d4/d43
simplified command 真实 表格
Command cken-1 CKEn CS RAS CAS 我们 地址
a10/
AP
BA 便条
扩展 模式 寄存器 seth X LLLL 运算 代号 1,2
模式 寄存器 设置 H X LLLL 运算 代号 1,2
设备 deselect
HX
HXXX
X1
非 运作 L H H H
bank 起作用的 H X L L H H RA V 1
读
HXLHLHCA
L
V
1
读 和 autoprecharge h1,3
写
HXLHLLCA
L
V
1
写 和 autoprecharge h1,4
precharge 所有 banks
HXLLHLX
hx1,5
precharge 选择 bank LV1
读 burst 停止 H X L H H L X 1
自动 refresh H HLLLH X 1
自 refresh
EntryH L LLLH
X
1
Exit L H
HXXX
1
LHHH
precharge 电源
向下 模式
Entry H L
HXXX
X
1
LHHH 1
Exit L H
HXXX 1
LHHH 1
起作用的 电源
向下 模式
Entry H L
HXXX
X
1
LVVV 1
Exit L H X 1
便条 :
1. ldm/udm states 是 don’t 小心. 谈及 至 在下 写 掩饰 真实 table.
2. 运算 代号(operand 代号) 组成 的 a0~a11 和 ba0~ba1 使用 为 模式 寄存器 设置 duing 扩展 mrs 或者 mrs.
在之前 进去 模式 寄存器 设置 模式, 所有 banks 必须是 在 一个 precharge 状态 和 mrscommand 能 是 issued 之后 trp
时期 从 prechagre command.
3. 如果 一个 读 和 autoprecharge command 是 发现 用 记忆组件 在 ck(n), 然后 那里 将 是 非 command 提交
至 使活动 bank 直到 ck(n+bl/2+trp).
4. 如果 一个 写 和 autoprecharge command 是 发现 用 记忆组件 在 ck(n), 然后 那里 将 是 非 command 提交
至 使活动 bank 直到 ck(n+bl/2+1+tdpl+trp). last 数据-在至 prechage 延迟(tdpl) 这个 是 也 called 写 恢复 time
(twr) 是 需要 至 保证 那 这 last 数据 有 被 完全地 写.
5. 如果 a10/ap 是 高 当 precharge command 正在 issued, ba0/ba1 是 ignored 和 所有 banks 是 选择 至 是
precharged.
( h=逻辑 高 水平的, l=逻辑 低 水平的, x=don’t care, v=valid 数据 输入, 运算 代号=operand 代号, nop=非 运作 )
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