tms416409a, tms417409a, tms426409a, tms427409a
4194304 用 4-位 扩展 数据 输出
动态 随机的-进入 memories
smks893b – 8月 1996 – 修订 april 1997
10
邮递 办公室 盒 1443
•
houston, 德州 77251–1443
电的 特性 在 推荐 范围 的 供应 电压 和 运行 自由-空气
温度 (除非 否则 指出) (持续)
TMS417409A
参数
测试 情况
†
’417409一个- 50 ’417409A- 60 ’417409A- 70
UNITPARAMETER
测试 情况
†
最小值 最大值 最小值 最大值 最小值 最大值
单位
V
OH
高-水平的 输出
电压
I
OH
= – 5 毫安 2.4 2.4 2.4 V
V
OL
低-水平的 输出 电压 I
OL
= 4.2 毫安 0.4 0.4 0.4 V
I
I
输入 电流 (泄漏)
V
CC
= 5.5 v, V
I
= 0 v 至 6.5 v,
所有 其他 = 0 v 至 v
CC
±
10
±
10
±
10
µ
一个
I
O
输出 电流
(泄漏)
V
CC
= 5.5 v, V
O
= 0 v 至 v
CC
,
CAS
高
±
10
±
10
±
10
µ
一个
I
CC1
‡§
平均 读- 或者
写-循环 电流
V
CC
= 5.5 v, 最小 循环 130 110 100 毫安
I
CC2
平均 备用物品
V
IH
= 2.4 v ( ttl),
之后 一个 记忆 循环,
RAS
和 cas高
2 2 2 毫安
I
CC2
gy
电流
V
IH
= v
CC
– 0.2 v (cmos),
之后 一个 记忆 循环,
RAS
和 cas高
1 1 1 毫安
I
CC3
‡§
平均 refresh 电流
(ras
-仅有的 refresh 或者
cbr)
V
CC
= 5.5 v, 最小 循环,
RAS
cycling, CAS高 (ras 仅有的),
RAS
低 之后 cas低 (cbr)
130 110 100 毫安
I
CC4
‡¶
平均 edo 电流
V
CC
= 5.5 v, t
HPC
= 最小值,
RAS
低, CAScycling
110 90 80 毫安
†
为 情况 显示 作 最小值 / 最大值, 使用 这 适合的 值 指定 在 这 定时 (所需的)东西.
‡
量过的 和 输出 打开
§
量过的 和 一个 最大 的 一个 地址 改变 当 ras
= v
IL
¶
量过的 和 一个 最大 的 一个 地址 改变 在 各自 edo 循环, t
HPC
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