tms416409a, tms417409a, tms426409a, tms427409a
4194304 用 4-位 扩展 数据 输出
动态 随机的-进入 memories
smks893b – 8月 1996 – 修订 april 1997
12
邮递 办公室 盒 1443
•
houston, 德州 77251–1443
电的 特性 在 推荐 范围 的 供应 电压 和 运行 自由-空气
温度 (除非 否则 指出) (持续)
TMS427409A
参数
测试 情况
†
’427409A- 50 ’427409A-60 ’427409A- 70
UNITPARAMETER
测试 情况
†
最小值 最大值 最小值 最大值 最小值 最大值
单位
V
OH
高-水平的
输出
I
OH
= – 2 毫安 LVTTL 2.4 2.4 2.4
VV
OH
输出
电压
I
OH
= – 100
µ
一个
LVCMOS V
CC
–0.2 V
CC
–0.2 V
CC
–0.2
V
V
OL
低-水平的
输出
I
OL
= 2 毫安 LVTTL 0.4 0.4 0.4
VV
OL
输出
电压
I
OL
= 100
µ
一个
LVCMOS 0.2 0.2 0.2
V
I
I
输入 电流
(泄漏)
V
CC
= 3.6 v, V
I
= 0 v 至 3.9 v,
所有 其他 = 0 v 至 v
CC
±
10
±
10
±
10
µ
一个
I
O
输出
电流
(泄漏)
V
CC
= 3.6 v, V
O
= 0 v 至 v
CC
,
CAS
高
±
10
±
10
±
10
µ
一个
I
CC1
‡§
平均
读- 或者
写- 循环
电流
V
CC
= 3.6 v, 最小 循环 120 100 90 毫安
I
CC2
平均
备用物品
V
IH
= 2 v (lvttl)
之后 一个 记忆 循环, ras
和 cas
高
2 2 2 毫安
I
CC2
standby
电流
V
IH
= v
CC
– 0.2 v (lvcmos),
之后 一个 记忆 循环, ras和 cas
高
1 1 1 毫安
I
CC3
‡§
平均
refresh
电流
(ras
-仅有的
refresh
或者 cbr)
V
CC
= 3.6 v, 最小 循环,
RAS
cycling,
CAS
高 (ras-仅有的 refresh),
RAS
低 之后 cas低 (cbr)
120 100 90 毫安
I
CC4
‡¶
平均
edo 电流
V
CC
= 3.6 v, t
HPC
= 最小值,
RAS
低, CAScycling
110 90 80 毫安
†
为 情况 显示 作 最小值 / 最大值, 使用 这 适合的 值 指定 在 这 定时 (所需的)东西.
‡
量过的 和 输出 打开
§
量过的 和 一个 最大 的 一个 地址 改变 当 ras
= v
IL
¶
量过的 和 一个 最大 的 一个 地址 改变 在 各自 edo 循环, t
HPC
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