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资料编号:1100961
 
资料名称:TC4452
 
文件大小: 475K
   
说明
 
介绍:
12A High-Speed MOSFET Drivers
 
 


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tc4467/tc4468/tc4469
ds21425b-页 4
2002 微芯 技术 公司
电的 规格 (运行 温度)
真实 表格
电的 特性:
除非 否则 指出, 在 运行 温度 范围 和 4.5 V
V
DD
18 v.
参数 Sym 最小值 典型值 最大值 单位 情况
输入
逻辑 1, 高 输入 电压 V
IH
2.4 V
便条 3
逻辑 0, 低 输入 电压 V
IL
——0.8v
便条 3
输入 电流 I
-10 10 µA 0 V
V
V
DD
输出
高 输出 电压 V
OH
V
DD
– 0.025 V I
加载
= 100 µA
(便条 1)
低 输出 电压 V
OL
0.30 V I
加载
= 10 毫安
(便条 1)
输出 阻抗 R
O
—2030
I
输出
= 10 毫安, v
DD
= 18 V
顶峰 输出 电流 I
PK
—1.2—a
持续的 输出 电流 I
直流
300 毫安 单独的 输出
500 总的 包装
获得-向上 保护 承受
反转 电流
i—500—ma4.5v
V
DD
16 V
切换 时间 (便条 1)
上升 时间 t
R
15 50 nsec 图示 4-1
下降 时间 t
F
15 50 nsec 图示 4-1
延迟 时间 t
D1
40 100 nsec 图示 4-1
延迟 时间 t
D2
40 100 nsec 图示 4-1
电源 供应
电源 供应 电流 I
S
——8mA
电源 供应 电压 V
DD
4.5 18 V
便条 2
便条 1:
totem 柱子 输出 应当 不 是 paralleled 因为 这 传播 延迟 differences 从 一个 至 这 其它 可以 导致 一个 driver 至
驱动 高 一个 few nanoseconds 在之前 另一. 这 结果 电流 尖刺, 虽然 短的, 将 decrease 这 生命 的 这 设备.切换
时间 是 保证 用 设计.
2:
当 驱动 所有 四 输出 同时发生地 在 这 一样 方向, v
DD
将 是 限制 至 16 v. 这个 减少 这 chance 那 内部的 dv/dt
将 导致 高-电源 消耗 在 这 设备.
3:
这 输入 门槛 有 大概 50 mv 的 hysteresis 集中 在 大概 1.5 v. 输入 上升 时间 应当 是 保持 在下5 µsec
至 避免 高 内部的 顶峰 电流 在 输入 transitions. 静态的 输入 水平 应当 也 是 maintained 在之上 这 最大,或者 在下
这 最小, 输入 水平 指定 在 这 "电的 特性" 至 避免 增加 电源 消耗 在 这 设备.
部分 非. tc4467 与非 tc4468 和 tc4469 和/inv
输入 一个 H H L L H H L L H H L L
输入 b HLHLHLHLHLHL
输出 tc446x L H H H H L L L L H L L
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