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资料编号:1102907
 
资料名称:RSM002P03
 
文件大小: 59K
   
说明
 
介绍:
4V Drive Pch MOS FET
 
 


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RSF010P03
晶体管
2/2
z
(ta=25
°
c)
参数 标识
I
GSS
Y
fs
最小值
典型值 最大值
单位
情况
V
(br) dss
I
DSS
V
gs (th)
R
ds (在)
C
iss
C
oss
C
rss
t
d (在)
t
r
t
d (止)
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
门-源 泄漏
流-源 损坏 电压
零 门 电压 流 电流
门 门槛 电压
静态的 流-源 在-状态
阻抗
向前 转移 admittance
输入 电容
输出 电容
反转 转移 电容
转变-在 延迟 时间
上升 时间
转变-止 延迟 时间
下降 时间
总的 门 承担
门-源承担
门-流承担
搏动
−±
10
µ
AV
GS
=
±
20v, v
DS
=0V
V
DD
15v, v
GS
=
5V
30
−−
VI
D
=
1ma, v
GS
=0V
−−−
1
µ
AV
DS
=
30v, v
GS
=0V
1.0
−−
2.5 V V
DS
=
10v, i
D
=
1mA
250 350 I
D
=
1a, v
GS
=
10V
400 560 m
m
m
I
D
=
0.5a, v
GS
=
4.5v
450 630 I
D
=
0.5a, v
GS
=
4.0v
0.5
−−
SV
DS
=
10v, i
D
=
0.5a
120
pF V
DS
=
10V
27
17
pF V
GS
=0V
8
pF f=1MHz
11
ns
20
ns
12
ns
1.9
ns
0.7
nC
0.4
nC I
D
=
1A
−−
nC R
L
=15
Ω,
R
G
=10
V
DD
15
V
I
D
=
0.5a
V
GS
=
10V
R
L
=30
R
G
=10
z
身体 二极管 特性
(源-流) (ta=25
°
c)
V
SD
−−−
1.2 V I
S
=
0.3a, v
GS
=0vforward 电压
参数 标识
最小值 典型值 最大值
单位
情况
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