RSM002P03_集成电路资料查询网

RSF010P03
晶体管
1/2
4v 驱动
Pch
mos 场效应晶体管
RSF010P03
z
结构
z
外部 维度
(单位 : mm)
硅 p-频道 mos 场效应晶体管
z
特性
1) 低 在-阻抗.
2) 高 速 切换.
z
产品
切换
z
包装 规格
z
inner 电路
包装
代号
Taping
基本 订货 单位 (片)
RSF010P03
TL
3000
类型
z
绝对 最大 比率
(ta=25
°
c)
∗
1
∗
2
∗
1
参数
VV
DSS
标识
VV
GSS
AI
D
AI
DP
AI
S
AI
SP
WP
D
°
CTch
°
CTstg
限制 单位
流-源 电压
门-源 电压
流 电流
总的 电源 消耗
频道 温度
范围 的 存储 温度
持续的
搏动
持续的
搏动
∗
1 pw
≤
10
µ
s, 职责 循环
≤
1%
∗
2 挂载 在 一个 陶瓷的 板
源 电流
(身体 二极管)
−
30
150
−
55 至
+
150
±
20
±
1
±
4
−
0.3
−
4
0.8
z
热的 阻抗
参数
°
c/wrth(ch-一个)
标识 限制 单位
频道 至 包围的
156
∗
挂载 在 一个 陶瓷的 板
∗
(1) 门
(2) 源
(3) 流
∗
2
∗
1 静电释放 保护 二极管
∗
2 身体 二极管
∗
1
(2)
(1)
(3)
(1) 门
(2) 源
(3) 流
TUMT3
0.3
0.77
0.17
0.15max.
2.0
1.3
0.65 0.65
(3)
(1)
(2)
1.7 0.20.2
2.1
0~0.1
0.85max.
abbreviated 标识 : wx

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RSF010P03 晶体管 1/2 4v 驱动 Pch mos 场效应晶体管 RSF010P03 z 结构 z 外部维度 (单位 : mm) 硅 p-频道 mos 场效应晶体管 z 特性 1) 低在-阻抗. 2) 高速切换. z 产品切换 z 包装规格 z inner 电路包装代号 Taping 基本订货单位 (片) RSF010P03 TL 3000 类型 z 绝对最大比率 (ta=25 ° c) ∗ 1 ∗ 2 ∗ 1 参数 VV DSS 标识 VV GSS AI D AI DP AI S AI SP WP D ° CTch ° CTstg 限制单位流-源电压门-源电压流电流总的电源消耗频道温度范围的存储温度持续的搏动持续的搏动 ∗ 1 pw ≤ 10 µ s, 职责循环 ≤ 1% ∗ 2 挂载在一个陶瓷的板源电流 (身体二极管) − 30 150 − 55 至 + 150 ± 20 ± 1 ± 4 − 0.3 − 4 0.8 z 热的阻抗参数 ° c/wrth(ch-一个) 标识限制单位频道至包围的 156 ∗ 挂载在一个陶瓷的板 ∗ (1) 门 (2) 源 (3) 流 ∗ 2 ∗ 1 静电释放保护二极管 ∗ 2 身体二极管 ∗ 1 (2) (1) (3) (1) 门 (2) 源 (3) 流 TUMT3 0.3 0.77 0.17 0.15max. 2.0 1.3 0.65 0.65 (3) (1) (2) 1.7 0.20.2 2.1 0~0.1 0.85max. abbreviated 标识 : wx

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