mitsubishi 半导体 <intelligent 电源 单元>
ps51277-一个
转移-模型 类型
insulated 类型
三月. 2003
2.6
2.2
—
—
—
—
—
1
10
1
10
—
2.05
2.50
0.067
毫安
毫安
一个
V
T
j
= 25
°
C
T
j
= 125
°
C
V
ce(sat)
V
F
t
在
t
rr
t
c(在)
t
止
t
c(止)
I
CES
I
R
情况标识 参数
限制
反相器 igbt 部分
反相器 fwdi 部分
情况 至 fin, (每 1 单元)
热的 grease 应用
R
th(j-c)q
R
th(j-c)f
R
th(c-f)
最小值
°
c/w
热的 阻抗
典型值 最大值
—
—
—
—
—
—
单位
I
F
= 30a
情况
标识
参数
限制
最小值 典型值 最大值
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
单位
电的 特性
(t
j
= 25
°
c, 除非 否则 指出)
反相器 部分
集电级-发射级 饱和
电压
向前 电压
接合面 至 情况 热的
阻抗
联系 热的 阻抗
V
D
= 15v, v
在
= 5v, i
C
= 30a
切换 时间
V
CC
= 300v, v
D
= 15v
I
C
= 20a, t
j
= 125
°
c, v
在
= 5v
↔
0V
inductive 加载
集电级-发射级 截-止
电流
反转 电流
fwdi 反转 恢复
电流
V
CE
= 600v
2.0
1.6
0.23
0.14
0.14
0.43
0.23
—
—
—
—
13
V
µ
s
µ
s
µ
s
µ
s
µ
s
°
c/w
°
c/w
控制 输入 电流
在 门槛 电压
止 门槛 电压
16.5
3.0
3.0
0.45
3.7
—
12.5
13.0
15.0
0.8
0.7
0.3
3.0
2.0
—
—
trip 水平的
重置 水平的
V
D
I
在
V
th(在)
V
th(止)
UV
Dt
UV
Dr
V
毫安
V
V
V
V
限制
控制 (保护) 部分
13.5
—
—
—
—
1.3
10.3
10.8
V
D
= 15v, v
在
= 5v
V
D
= 15v, v
在
= 0v
应用 在 : v
D
-地控制 供应 电压
情况
标识 参数
最小值 典型值 最大值
单位
应用 在 :
V
D
-地
电路 电流
I
D
供应 电路 下面-电压
保护
T
j
≤
125
°
C
应用 在 : v
在
-地
毫安
V
R
= 600v
T
j
= 25
°
C
T
j
= 125
°
C
V
D
= 15v, v
在
= 5v
I
rr
V
CC
= 300v, v
D
= 15v, i
C
= 20a, t
j
= 25
°
C
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