mitsubishi 半导体 <intelligent 电源 单元>
ps51277-一个
转移-模型 类型
insulated 类型
三月. 2003
插件-pfc 线路 指导原则
因为 插件-pfc switches 大 电流 在 一个 非常 高 速, considerable 大 surge 电压 是 发生 容易地 在 p 和 n termi-
nals. 请 支付 注意 至 这 下列的 items:
•
这 范围 的 p-co-n 显示 在 图. 3 应当 是 作 小 作 可能 因为 这 rectangle shaped 切换 电流 flows 在 这个route. 在
增加, 请 增加 一个 绕过 condenser co
’
和 好的 频率 回馈 此类 作 一个 polypropylene 影片 condenser closely 至 这 p 和 n
terminals.
•
这 二 igbt emitters 是 连接 至 这 vno 终端 的 lvic inside 这 插件-pfc. 如果 这 内部的 线路 电感 显示 作l1 和 l2
在 图. 4 是 too 大, 大 surge 电压 将 是 发生 用 di/dt. 特别, 这 更小的 这 temperature, 这 faster 这 切换 speed,
因此 这 大 这 di/dt. 这个 surge 电压 应用 至 这 vno 和 n terminals, 这个 是 可能 至 destruct lvic.
•
在 顺序 至 压制 这 surge 电压, 这 外部 线路 方法 显示 在 图. 4 是 推荐. 至 减少 这 parasitic 线路 induc-
tance, 这 线路 的 这 外部 terminals 的 n
(n-1)
和 n
(n-2)
应当 是 制造 作 短的 作 可能.
•
请 挂载 一个 快 clamp 二极管 (eg01y@sanken) 在 n 和 控制 地 terminals 至 阻止 控制 地 潜在的 变化 f只读存储器
这 minus 电压 的 n 终端.
R
n / f
LVIC
VNO
P
插件
•
PFC
S
V
在
N2
N
(n-1, n-2)
控制 ic
MCU
V
D
地
co' Co
+
P
S
+
+
R
n-1
L1
L2
地
VD
控制 输入
地
V
D
V
在
N2
N2
n-2
insert 一个 二极管 here
至 restrain 这 ipm surge 电压,
挂载 这 condenser closely 至 这
terminals
至 减少 这 parasitic 电感,
这个 线 应当 关闭 至 n 终端
图. 3 插件-pfc 接口
图. 4 推荐 线路 方法
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