mitsubishi 半导体 <双-在-线条 包装 intelligent 电源 单元>
ps21963-s
转移-模型 类型
insulated 类型
六月. 2005
自举 负的 electrodes
应当 是 连接 至 u, v,
w terminals 直接地 和
separated 从 这 主要的 输出
线.
W
输出
V
输出
插件-ipm
C3
C2 C2
C1
C1
C2
C1
U
输出
W
P
V
WB
V
P
V
VB
15v 线条
5v 线条
U
P
COM
U
输出
V
输出
V
非
W
输出
CIN
V
非
地
F
o
W
N
V
N
V
CC
C
一个
CIN
NW
NV
NU
W
V
U
P
V
WS
V
VS
V
美国
V
UB
V
CC
Fo
W
N
V
N
U
N
U
N
W
P
V
P
U
P
V
NC
V
NC
V
N1
V
P1
V
UFB
V
VFB
V
WFB
C3
控制
HVIC
LVIC
M
too 长 线路 here might
导致 短的-电路.
如果 这个 线路 是 too 长, 这 sc
水平的 fluctuation might 是 大
和 导致 sc 运转.
长 地 线路 here might
发生 噪音 至 输入 和
导致 igbt 运转.
比较器
C4
R1
B
Vref
C4
R1
B
Vref
+
C4
N1
R1
B
Vref
或者 逻辑
外部 保护 电路
调往 电阻器
-
+
-
+
-
便条 1 :
至 阻止 运转, 这 线路 的 各自 输入 应当 是 作 短的 作 可能 (2~3cm).
2:
用 virtue 的 integrating hvic inside, 直接 连接 至 mcu 没有 opto-coupler 或者 变压器 分开 是 可能.
3:
F
O
输出 是 打开 流 类型. 它 应当 是 牵引的 向上 至 一个 5v 供应 和 一个 大概 10k
Ω
电阻.
4:
这 逻辑 的 输入 信号 是 高-起作用的. 这 插件-ipm 输入 信号 部分 integrates 一个 3.3k
Ω
(最小值) 拉-向下 电阻.
如果 使用 外部 过滤 电阻, 确保 这 电压 漏出 的 在 信号 不 在下 这 门槛 值.
5:
至 阻止 运转 的 保护, 这 线路 的 一个, b, c 应当 是 作 短的 作 可能.
6:
请 设置 这 过滤 r1
•
c4 时间 常量 此类 那 这 igbt 能 是 interrupted 在里面 2
µ
s.
7:
各自 电容 应当 是 located 作 nearby 这 管脚 的 这 插件-ipm 作 可能.
8:
至 阻止 surge destruction, 这 线路 在 这 smoothing 电容 和 这 p-n1 管脚 应当 是 作 短的 作 可能.
大概 一个 0.1~0.22
µ
f snubber 电容 在 这 p-n1 管脚 是 推荐.
9:
制造 外部 线路 连接 在 v
非
和 v
NC
terminals 作 显示 在 图.5.
10 :
TwoV
NC
terminals (9 &放大; 16 管脚) 是 连接 inside 插件-ipm, 请 连接 也 一个 至 这 15v 电源 供应 地 外部 和
leave 另一 一个 打开.
11 :
至 阻止 ics 从 surge destruction, 它 是 推荐 至 insert 一个 齐纳 二极管 (24v, 1w) 在 各自 控制 供应 终端s.
12 :
这 涉及 电压 vref 的 比较器 应当 是 设置 向上 这 一样 比率 的 短的 电路 trip 水平的 (vsc(ref): 最小值.0.43v 至
最大值.0.53v).
13 :
或者 逻辑 输出 水平的 应当 是 设置 向上 这 一样 比率 的 短的 电路 trip 水平的 (vsc(ref): 最小值.0.43v 至 最大值.0.53v).
图. 6 典型 插件-ipm 应用 电路 例子
c1:tight 容忍 温度-补偿 electrolytic 类型 c2,c3: 0.22~2
µ
f r-类别 陶瓷的 电容 为 噪音 过滤
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