mitsubishi 半导体 <双-在-线条 包装 intelligent 电源 单元>
ps21963-s
转移-模型 类型
insulated 类型
六月. 2005
错误 输出 fo
输出 电流 ic
控制 供应 电压 v
D
保护 电路 状态
控制 输入
b1
b2
b3
b4
b5
重置
重置
UV
Dt
UV
Dr
设置
b6
b7
保护 电路 状态
更小的-arms 控制
输入
错误 输出 fo
sense 电压 的 这
调往 电阻
输出 电流 ic
内部的 igbt 门
sc 涉及 电压
cr 电路 时间
常量 延迟
a5
a8
a4
a3
a1
a2
SC
重置
设置
a7a6
图. 3 定时 chart 的 这 插件-ipm protective 功能
[a] 短的-电路 保护 (更小的-arms 仅有的 和 这 外部 调往 电阻 和 cr 过滤)
a1. 正常的 运作 : igbt 在 和 carrying 电流.
a2. 短的 电路 发现 (sc 触发).
a3. igbt 门 hard 中断.
a4. igbt 转变 止.
a5. f
O
输出 (t
fo(最小值)
= 20
µ
s).
a6. 输入
“
L
”
: igbt 止.
a7. 输入
“
H
”
: igbt 在.
a8. igbt 止 在 spite 的 输入
“
H
”
.
[b] 下面-电压 保护 (更小的-arm, uv
D
)
b1. 控制 供应 电压 rises : 之后 这 电压 水平的 reaches uv
Dr
, 这 电路 开始 至 运作 当 next 输入 是 应用.
b2. 正常的 运作 : igbt 在 和 carrying 电流.
b3. 下面 电压 trip (uv
Dt
).
b4. igbt 止 在 spite 的 控制 输入 情况.
b5. f
O
输出 (t
FO
≥
20
µ
s 和 f
O
输出 continuously 在 uv 时期).
b6. 下面 电压 重置 (uv
Dr
).
b7. 正常的 运作 : igbt 在 和 carrying 电流.
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