mitsubishi 半导体 <双-在-线条 包装 intelligent 电源 单元>
ps21563-sp
转移-模型 类型
insulated 类型
jul. 2005
便条 2
: t
f
度量 要点
控制 terminals
fwdi 碎片
al 板
温度 度量
要点 (inside 这 ai 板)
16mm
18mm
igbt 碎片
电源 terminals
温度
度量 要点
(inside 这 ai 板)
Groove
al 板 规格 :
维度 : 100
✕
100
✕
10mm, finishing : 12s, warp :
–
50~100
µ
m
硅-grease 应当 是 应用 evenly 和 一个 厚度 的 100~200
µ
m
插件-ipm
PUVWN
400
–
20~+100
–
40~+125
2500
V
D
= 13.5~16.5v, 反相器 部分
T
j
= 125
°
c, 非-repetitive, 较少 比 2
µ
s
(便条 2)
60hz, sinusoidal, 1 分钟,
所有 连接 管脚 至 热温-下沉 加设护板
V
cc(prot)
T
f
T
stg
V
iso
V
V
V
V
毫安
V
20
20
–
0.5~v
D
+0.5
–
0.5~v
D
+0.5
1
–
0.5~v
D
+0.5
应用 在 v
P1
-v
NC
, v
N1
-v
NC
应用 在 v
UFB
-v
UFS
, v
VFB
-v
VFS
,
V
WFB
-v
WFS
应用 在 u
P
, v
P
, w
P
, u
N
, v
N
,
W
N
-v
NC
应用 在 f
O
-v
NC
下沉 电流 在 f
O
终端
应用 在 cin-v
NC
控制 供应 电压
控制 供应 电压
输入 电压
故障 输出 供应 电压
故障 输出 电流
电流 感觉到 输入 电压
V
D
V
DB
V
在
V
FO
I
FO
V
SC
450
500
600
10
20
20
–
20~+125
应用 在 p-nu, nv, nw
应用 在 p-nu, nv, nw
T
f
= 25
°
C
T
f
= 25
°
c, 较少 比 1ms
T
f
= 25
°
c, 每 1 碎片
(便条 1)
V
CC
V
cc(surge)
V
CES
±
I
C
±
I
CP
P
C
T
j
情况标识 参数 比率 单位
供应 电压
供应 电压 (surge)
集电级-发射级 电压
各自 igbt 集电级 电流
各自 igbt 集电级 电流 (顶峰)
集电级 消耗
接合面 温度
V
V
V
一个
一个
W
°
C
最大 比率
(t
j
= 25
°
c, 除非 否则 指出)
反相器 部分
情况标识 参数 比率 单位
控制 (保护) 部分
标识 比率 单位
自 保护 供应 电压 限制
(短的 电路 保护 能力)
单元 情况 运作 温度
存储 温度
分开 电压
V
°
C
°
C
V
rms
总的 系统
便条 1
: 这 最大 接合面 温度 比率 的 这 电源 碎片 整体的 在里面 这 插件-ipm 是 150
°
c (@ t
f
≤
100
°
c) 不管怎样, 至 en-
确信 safe 运作 的 这 插件-ipm, 这 平均 接合面 温度 应当 是 限制 至 t
j(ave)
≤
125
°
c (@ t
f
≤
100
°
c).
参数
情况
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