mitsubishi 半导体 <双-在-线条 包装 intelligent 电源 单元>
ps21563-sp
转移-模型 类型
insulated 类型
jul. 2005
2.10
2.20
2.00
1.80
—
0.60
2.10
0.80
1
10
5.0
6.5
毫安
V
T
j
= 25
°
C
T
j
= 125
°
C
I
C
= 10a, t
j
= 25
°
C
I
C
= 10a, t
j
= 125
°
C
V
ce(sat)
V
EC
t
在
t
rr
t
c(在)
t
止
t
c(止)
I
CES
情况标识
参数
限制
反相器 igbt 部分 (每 1/6 单元)
反相器 fwd 部分 (每 1/6 单元)
R
th(j-f)q
R
th(j-f)f
最小值
热的 阻抗
典型值 最大值
—
—
—
—
单位
T
j
= 25
°
c,
–
I
C
= 10a, v
在
= 0v
情况
标识
参数
限制
最小值 典型值 最大值
—
—
—
0.60
—
—
—
—
—
—
单位
电的 特性
(t
j
= 25
°
c, 除非 否则 指出)
反相器 部分
集电级-发射级 饱和
电压
fwd 向前 电压
接合面 至 情况 热的
阻抗 (便条 3)
V
D
= v
DB
= 15v
V
在
= 5v
切换 时间
V
CC
= 300v, v
D
= v
DB
= 15v
I
C
= 10a, t
j
= 125
°
c, v
在
= 0
↔
5V
inductive 加载 (upper-更小的 arm)
集电级-发射级 截-止
电流
V
CE
= v
CES
1.60
1.70
1.50
1.20
0.30
0.40
1.40
0.50
—
—
V
µ
s
µ
s
µ
s
µ
s
µ
s
°
c/w
°
c/w
控制 (保护) 部分
便条 4 :
短的 电路 保护 是 起作用 仅有的 为 这 更小的-arms. 请 选择 这 外部 调往 阻抗 此类 那 这 sc trip-水平的 是
较少 比 2.0 时间 的 这 电流 比率.
5:
故障 信号 是 asserted 相应的 至 一个 短的 电路 或者 更小的 一侧 控制 供应 下面-电压 失败. 这 故障 输出 脉冲波 宽度 t
FO
取决于 在 这 电容 值 的 c
FO
符合 至 这 下列的 近似的 等式 : c
FO
= 12.2
✕
10
-6
✕
t
FO
[f].
标识
I
D
V
FOH
V
FOL
V
sc(ref)
I
在
UV
DBt
UV
DBr
UV
Dt
UV
Dr
t
FO
V
th(在)
V
th(止)
参数 情况
限制
单位
电路 电流
故障 输出 电压
短的 电路 trip 水平的
控制 供应 下面-电压
保护
故障 输出 脉冲波 宽度
在 门槛 电压
止 门槛 电压
V
D
= v
DB
= 15v
V
在
= 5v
总的 的 v
P1
-v
NC
, v
N1
-v
NC
V
UFB
-v
UFS
, v
VFB
-v
VFS
, v
WFB
-v
WFS
V
SC
= 0v, f
O
电路 拉-向上 至 5v 和 10k
Ω
V
SC
= 1v, i
FO
= 1ma
T
f
=
–
20~100
°
c, v
D
= 15v (便条 4)
V
在
= 5v
trip 水平的
重置 水平的
trip 水平的
重置 水平的
C
FO
= 22nf (便条 5)
应用 在 u
P
, v
P
, w
P
-v
NC
, u
N
, v
N
, w
N
-v
NC
—
—
—
—
4.9
—
0.45
1.0
10.0
10.5
10.3
10.8
1.0
2.1
0.8
—
—
—
—
—
—
—
1.5
—
—
—
—
1.8
2.3
1.4
5.00
0.40
7.00
0.55
—
0.95
0.52
2.0
12.0
12.5
12.5
13.0
—
2.6
2.1
最小值 典型值 最大值
毫安
V
V
V
毫安
V
V
V
V
ms
V
V
V
D
= v
DB
= 15v
V
在
= 0v
总的 的 v
P1
-v
NC
, v
N1
-v
NC
V
UFB
-v
UFS
, v
VFB
-v
VFS
, v
WFB
-v
WFS
T
j
≤
125
°
C
便条 3:
grease 和 好的 热的 conductivity 应当 是 应用 evenly 和 关于 +100
µ
m~+200
µ
m 在 这 contacting 表面 的 插件-ipm
和 热温-下沉.
输入 电流
: 点此下载
