mitsubishi rf 电源 mos 场效应晶体管
静电的 敏感的 设备
RD07MVS1
rohs 遵从,硅 场效应晶体管 电源 晶体管,175mhz,520mhz,7w
RD07MVS1
mitsubishi electric
10 jan 2006
注意到 处理 预防措施
绝对 最大 比率
(tc=25
°C
除非 否则 指出)
标识 参数 情况 比率 单位
VDSS 流 至 源 电压 Vgs=0V 30 V
VGSS 门 至 源 电压 Vds=0V +/- 20 V
pch 频道 消耗 tc=25
°C
50 w
管脚 输入 电源 Zg=Zl=50
Ω
1.5 w
id 流 电流 - 3 一个
tch 接合面 温度 - 150
°C
Tstg 存储 温度 - -40 至 +125
°C
rth j-c 热的 阻抗 接合面 至 情况 2.5
°c/w
便条 1: 在之上 parameters 是 有保证的 independently.
电的 特性
(tc=25
°C
, 除非 否则 指出)
限制 单位
标识 参数 情况
最小值 典型值 最大值
I
DSS
零 门 电压 流 电流 V
DS
=17v, v
GS
=0v - - 200 ua
I
GSS
门 至 源 leak 电流 V
GS
=10v, v
DS
=0v - - 1 ua
V
TH
门 门槛 电压 V
DS
=12v, i
DS
=1ma 1.4 1.7 2.4 v
Pout1 输出 电源 f=175mhz , v
DD
=7.2v 7 8 - w
η
D1
流 效率 管脚=0.3w,idq=700ma 55 60 - %
Pout2 输出 电源 f=520mhz , v
DD
=7.2v 7 8 - w
η
D2
流 效率 管脚=0.7w,idq=750ma 50 55 - %
加载 vswr 容忍 V
DD
=9.2v,po=7w(管脚 控制)
f=175mhz,idq=700ma,zg=50
Ω
加载 vswr=20:1(所有 阶段)
非 destroy -
加载 vswr 容忍 V
DD
=9.2v,po=7w(管脚 控制)
f=520mhz,idq=750ma,zg=50
Ω
加载 vswr=20:1(所有 阶段)
非 destroy -
便条 : 在之上 参数 , 比率 , lim它的 和 情况 是 主题 至 改变.
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