LT3800
4
3800f
V
CC
uvlo 门槛 (rising)
vs 温度
典型 perfor 一个 ce characTERISTICS
UW
I
CC
电流 限制 vs 温度
错误 放大 跨导
vs 温度
关闭 门槛 (rising)
vs 温度
V
CC
vs 温度
关闭 门槛 (下落)
vs 温度
V
CC
vs i
cc(加载)
V
CC
vs v
在
温度 (
°
c)
–50 –25
1.37
1.36
1.35
1.34
1.33
100
3800 g01
0 50 12525 75
关闭 门槛, rising (v)
–50 –25 1000 50 12525 75
温度 (
°
c)
1.240
1.235
1.230
1.225
1.220
3800 g02
关闭 门槛, 下落 (v)
温度 (
°
c)
–50 –25
V
CC
(v)
8.0
8.1
7.8
7.9
125
3800 g03
0
50
25
75
100
I
CC
= 0ma
I
CC
= 20ma
I
cc(加载)
(毫安)
0
V
CC
(v)
40
3800 g04
10
20
30
8.05
8.00
7.95
7.90
7.85
51525
35
T
一个
= 25
°
C
V
在
(v)
4
V
CC
(v)
8
7
6
5
4
3
79 12
3800 g05
56
8
10 11
I
CC
= 20ma
T
一个
= 25
°
C
–50 –25 1000 50 12525 75
温度 (
°
c)
200
175
150
125
100
75
50
3800 g06
I
CC
电流 限制 (毫安)
温度 (
°
c)
–50 –25 100
3800 g07
0 50 12525 75
6.30
6.25
6.20
6.15
V
CC
uvlo 门槛, rising (v)
I
CC
vs v
CC
(shdn = 0v)
V
CC
(v)
0
I
CC
(
µ
一个)
15
20
25
16
3800 g12
10
5
0
246
810
12 14 18
20
T
一个
= 25
°
C
温度 (
°
c)
–50 –25 1000 50 12525 75
380
360
340
320
3800 g08
错误 放大 跨导 (
µ
mho)
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