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资料编号:1118686
 
资料名称:NUP1301ML3T1
 
文件大小: 52K
   
说明
 
介绍:
Low Capacitance Diode Array for ESD Protection in a Single Data Line
 
 


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NUF6406MN
http://onsemi.com
3
−40
−35
−30
−25
−20
−15
−10
−5
0
1.e+06 1.e+07 1.e+08 1.e+09 1.e+10
频率 (hz)
s21 (db)
图示 1. 嵌入 丧失 典型的
反转 电压 (v)
normalized 电容
0
0.5
1
1.5
2
012345
90
92
94
96
98
100
102
104
106
108
110
−40 −20 0 20 40 60 80
温度 (
°
c)
阻抗 (
)
−45
−80
−70
−60
−50
−40
−30
−20
10
0
1.e+06 1.e+07 1.e+08 1.e+09 1.e+10
频率 (hz)
s41 (db)
图示 2. 相似物 串扰
图示 3. 典型 电容 vs.
反转 片面的 电压
(normalized 电容, cd @ 2.5 v)
图示 4. 典型 阻抗 在
温度
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