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资料编号:1118686
 
资料名称:NUP1301ML3T1
 
文件大小: 52K
   
说明
 
介绍:
Low Capacitance Diode Array for ESD Protection in a Single Data Line
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
NUF6406MN
http://onsemi.com
4
包装 维度
注释:
1. dimensioning 和 tolerancing 每
asme y14.5m, 1994.
2. controlling 维度: millimeter.
3. 维度 b 应用 至 镀有
终端 和 是 量过的 在
0.25 和 0.30 mm 从 终端.
4. coplanarity 应用 至 这 exposed
垫子 作 好 作 这 terminals.
5. exposed 焊盘 连接 至 消逝 标记.
使用 作 测试 联系.
DIM 最小值 最大值
毫米
一个
0.80 1.00
A1
0.00 0.05
A3
0.20 ref
b
0.18 0.30
D
3.00 bsc
D2
2.10 2.30
E
1.35 bsc
E2
0.20 0.40
e
0.50 bsc
K
0.20 −−−
L
0.20 0.40
0.15 C
D
E
B
一个
2 x
2 x
12 x
一个
A1
(a3)
0.15 C
管脚 一个
涉及
0.08 C
0.10 C
C
SEATING
平面
D2
E2
bottom 视图
b
e
12 x
0.10 B
0.05
交流
C
L
12 x
K
12 x
一侧 视图
顶 视图
便条 3
16
712
2 x
便条 5
exposed cu
(a3)
0.2 x 0.25 mm
exposed 垫子
2.352
0.093
mm
英寸
规模 16:1
0.265
0.01
*For额外的 信息 在 我们的 pb−free strategy 和 焊接
详细信息, 请 下载 这在 半导体 焊接 和
挂载 技巧 涉及 手工的, solderrm/d.
焊接 footprint*
0.479
0.019
0.351
0.014
DFN12
3.0*1.35*0.85
情况 506ad−01
公布 f
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