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资料编号:1118781
 
资料名称:NTMFS4119N
 
文件大小: 43K
   
说明
 
介绍:
Power MOSFET 30 V, 30 A, Single N-Channel SO-8 Flat Lead
 
 


: 点此下载
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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
NTMD4102PR2
http://onsemi.com
2
电的 特性
(t
一个
= 25
°
c 除非 否则 指出)
典型的 标识 最小值 Typ 最大值 单位
止 特性
流-至-源 损坏 电压 (便条 3)
(v
GS
= 0 v, i
D
= 250
一个)
V
(br)dss
-20 - - V
零 门 电压 流 电流 (便条 3)
(v
GS
= 0 v, v
DS
= -16 v)
I
DSS
- - -1.0
一个
门-至-源 泄漏 电流
(v
GS
=
±
20 v, v
DS
= 0 v)
I
GSS
- -
±
100 nA
在 特性
门 门槛 电压 (便条 3)
(v
GS
= v
DS
, i
D
= -250
一个)
V
gs(th)
-1.0 - - V
流-至-源 在-阻抗
(v
GS
= -10 v, i
D
= -8.5 一个)
(v
GS
= -4.5 v, i
D
= -6.5 一个)
R
ds(在)
-
-
TBD
TBD
19
30
m
向前 跨导 (v
DS
= -10 v, i
D
= -8.4 一个) g
FS
- TBD - S
charges, capacitances &放大; 门 阻抗
输入 电容
(v 0V f 1MH
C
iss
- TBD - pF
输出 电容
(v
GS
= 0 v, f = 1 mhz,
V
DS
= -10 v)
C
oss
- TBD -
反转 转移 电容
V
DS
=-10v)
C
rss
- TBD -
总的 门 承担 (v
GS
= -4.5 v, v
DS
= -10 v,
I
D
= -8.4 一个)
Q
g(tot)
- TBD TBD nC
门槛 门 承担 (v
GS
= -4.5 v, v
DS
= -10 v,
I
D
= -8.4 一个)
Q
g(th)
- TBD TBD nC
门-至-源 门 承担 (v
DS
= -10 v, i
D
= -8.4 一个) Q
GS
- TBD - nC
门-至-流 “miller” 承担 (v
DS
= -10 v, i
D
= -8.4 一个) Q
GD
- TBD - nC
输出 承担 (v
DS
= -10 v, v
GS
= 0 v) Q
OSS
- TBD - nC
门 阻抗 R
G
- TBD -
切换 特性
(便条 4)
转变-在 延迟 时间
t
d(在)
- TBD -
ns
上升 时间
(v
GS
= -4.5
v,V
DS
= -10 v,
t
r
- TBD -
转变-的 f 延迟 时间
(v
GS
4.5
V,V
DS
10v,
I
D
= -1.0 一个, r
G
= 6.0
)
t
d(止)
- TBD -
下降 时间 t
f
- TBD -
流-源 二极管 特性
向前 二极管 电压
(v
GS
= 0
v,I
SD
= -1.7 一个) V
SD
- TBD TBD V
反转 恢复 时间
(v 0 VV 10 V
t
rr
- TBD TBD ns
承担 时间
(v
GS
= 0
v,V
DS
= -10 v,
dI
SD
/dt = 100 一个/
s, i
SD
= -1.7 一个)
t
一个
- TBD - ns
释放 时间
dI
SD
/dt = 100一个/
s, i
SD
= -1.7一个)
t
b
- TBD - ns
反转 恢复 承担 Q
rr
- TBD - nC
3. 脉冲波 测试: 脉冲波 宽度
300
µ
s, 职责 循环
2%.
4. 切换 特性 是 独立 的 运行 接合面 温度.
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