半导体 组件 industries, llc, 2003
march, 2003 - rev. 0
1
发行 顺序 号码:
ntmd4102pr2/d
NTMD4102PR2
产品 预告(展)
trench 电源 场效应晶体管
-20 v, p-频道, 所以-8 双
这个 p-频道 设备 是 设计 使用 在 半导体’s
leading 边缘 trench 技术 为 低 r
ds(在)
效能 在 这
所以-8 双 包装 为 高 电源 和 电流 处理 能力.
这 低 r
ds(在)
效能 是 特别 suited 为 game 系统,
notebook 和 desktop 计算机, 和 printers.
特性 &放大; 益处
•
leading -20 v trench 为 低 r
ds(在)
•
所以-8 包装 提供 极好的 热的 效能
•
表面 挂载 所以-8 包装 saves 板 空间
•
铅 自由 包装 为 绿色 制造
产品
•
加载/电源 管理
•
电池 切换 为 multi cell li-ion
•
buck-boost 同步的 整流
最大 比率
(t
一个
= 25
°
c 除非 否则 指出)
比率 标识 值 单位
流-至-源 电压 V
DSS
-20 V
门-至-源 电压 V
GS
±
20 V
流 电流
- 持续的 @ t
一个
= 25
°
c (便条 1)
- 搏动 流 电流 (t = 10
µ
s)
I
D
I
DM
-6.5
-30
一个
稳步的 状态 电源 消耗
@ t
一个
= 25
°
c (便条 1)
P
D
1.1 W
运行 接合面 和 存储 温度
范围
T
J
, t
stg
-55 至
150
°
C
持续的 源 电流 (身体 二极管) I
S
-0.9 一个
含铅的 温度 为 焊接 目的
(1/8
″
从 情况 为 10 秒)
T
L
260
°
C
热的 阻抗 比率
热的 阻抗
-接合面- 至- 包围的 - 稳步的 状态 (便条 1)
- 接合面-至-包围的 - t
≤
10 s (便条 1)
- 接合面-至-含铅的 - 稳步的 状态 (便条 2)
R
JA
R
JA
R
JL
TBD
TBD
TBD
°
c/w
1. 表面-挂载 在 fr4 板 使用 1
″
sq 垫子 大小 (cu 范围 = 1.127 在 sq
[1 oz] 包含 查出)
2. 表面-挂载 在 fr4 板 使用 这 最小 推荐 垫子 大小
(cu 范围 = tbd 在 sq)
这个 文档 包含 信息 在 一个 产品 下面 开发. 在 半导体
reserves 这 正确的 至 改变 或者 停止 这个 产品 没有 注意.
S
G
D
设备 包装 Shipping
订货 信息
NTMD4102PR2 所以-8 2500/录音带 &放大; 卷轴
p-频道 场效应晶体管
所以-8
情况 751
样式 12
标记 图解 &放大;
管脚 分派
8
1
V
br(dss)
= -20 伏特
R
ds(在)
(最大值) = 19 m
@ -10 v
I
d(最大值)
(便条 1)
= -8.5 一个
R
ds(在)
(最大值) = 30 m
@ -4.5 v
I
d(最大值)
(便条 1)
= -6.5 一个
http://onsemi.com
XXXXXX
ALYW
XXX = 明确的 设备 代号
一个 = 组装 location
L = 薄脆饼 lot
Y = 年
W = 工作 week
18
流-1
流-1
流-2
流-2
源-1
门-1
源-2
门-2
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