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NTGS3443T1
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4
典型 电的 特性
图示 7. 电容 变化 图示 8. gate−to−source 和
drain−to−source 电压 vs. 总的 承担
0
1200
1000
8
800
600
106412
−V
ds,
drain−to−source 电压 (伏特)
c, 电容 (pf)
400
200
0
214201816
T
J
= 25
°
C
V
GS
= 0 v
C
iss
C
oss
C
rss
5
4
3
2
1
0
Q
g,
总的 门 承担 (nc)
045326
1
78
T
J
= 25
°
C
I
D
= −4.4 一个
V
GS
QT
Q1 Q2
−V
gs,
GATE−TO−SOURCE
电压 (伏特)
−50 50
0.8
0 100
1.2
1
0.6
150
图示 9. 门 门槛 电压 变化
和 温度
T
j,
接合面 温度 (
°
c)
V
gs(th),
门 门槛 电压
(normalized)
I
D
= −250

一个
0.9
1.3
1.1
0.7
25−25 75 125
图示 10. 二极管 向前 电压 vs. 电流
4
3
2
1
0
−V
SD
, source−to−drain 电压 (伏特)
0.3 0.7 0.80.60.5 0.90.4 1
T
J
= 150
°
C
T
J
= 25
°
C
V
GS
= 0 v
−I
s,
源 电流 (放大器)

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NTGS3443T1 http://onsemi.com 4 典型电的特性图示 7. 电容变化图示 8. gate−to−source 和 drain−to−source 电压 vs. 总的承担 0 1200 1000 8 800 600 106412 −V ds, drain−to−source 电压 (伏特) c, 电容 (pf) 400 200 0 214201816 T J = 25 ° C V GS = 0 v C iss C oss C rss 5 4 3 2 1 0 Q g, 总的门承担 (nc) 045326 1 78 T J = 25 ° C I D = −4.4 一个 V GS QT Q1 Q2 −V gs, GATE−TO−SOURCE 电压 (伏特) −50 50 0.8 0 100 1.2 1 0.6 150 图示 9. 门门槛电压变化和温度 T j, 接合面温度 ( ° c) V gs(th), 门门槛电压 (normalized) I D = −250  一个 0.9 1.3 1.1 0.7 25−25 75 125 图示 10. 二极管向前电压 vs. 电流 4 3 2 1 0 −V SD , source−to−drain 电压 (伏特) 0.3 0.7 0.80.60.5 0.90.4 1 T J = 150 ° C T J = 25 ° C V GS = 0 v −I s, 源电流 (放大器)

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