半导体 组件 industries, llc, 2003
12月, 2003 − rev. 2
1
发行 顺序 号码:
ntgs3443t1/d
NTGS3443T1
电源 场效应晶体管
2 放大器, 20 伏特
p−channel tsop−6
特性
•
过激 低 r
ds(在)
•
高等级的 效率 扩展 电池 生命
•
小型的 tsop6 表面 挂载 包装
•
pb−free 包装 将 是 有. 这 g−suffix denotes 一个
pb−free 含铅的 完成
产品
•
电源 管理 在 可携带的 和 battery−powered 产品, i.e.:
cellular 和 cordless telephones, 和 pcmcia cards
最大 比率
(t
J
= 25
°
c 除非 否则 指出)
比率
标识 值 单位
drain−to−source 电压 V
DSS
−20 伏特
gate−to−source 电压 − 持续的 V
GS
12 伏特
热的 阻抗
junction−to−ambient (便条 1)
总的 电源 消耗 @ t
一个
= 25
°
C
流 电流 − 持续的 @ t
一个
= 25
°
C
− 搏动 流 电流 (t
p
10
s)
R
JA
P
d
I
D
I
DM
244
0.5
−2.2
−10
°
c/w
Watts
放大器
放大器
热的 阻抗
junction−to−ambient (便条 2)
总的 电源 消耗 @ t
一个
= 25
°
C
流 电流 − 持续的 @ t
一个
= 25
°
C
− 搏动 流 电流 (t
p
10
s)
R
JA
P
d
I
D
I
DM
128
1.0
−3.1
−14
°
c/w
Watts
放大器
放大器
热的 阻抗
junction−to−ambient (便条 3)
总的 电源 消耗 @ t
一个
= 25
°
C
流 电流 − 持续的 @ t
一个
= 25
°
C
− 搏动 流 电流 (t
p
10
s)
R
JA
P
d
I
D
I
DM
62.5
2.0
−4.4
−20
°
c/w
Watts
放大器
放大器
运行 和 存储 温度 范围 T
J
, t
stg
−55 至
150
°
C
最大 含铅的 温度 为 焊接
目的 为 10 秒
T
L
260
°
C
1. 最小 fr−4 或者 g−10pcb, 运行 至 稳步的 状态.
2. 挂载 面向 一个 2 在 正方形的 fr−4 板 (1
″
sq. 2 oz. cu. 0.06
″
厚 单独的
sided), 运行 至 稳步的 状态.
3. 挂载 面向 一个 2 在 正方形的 fr−4 板 (1
″
sq. 2 oz. cu. 0.06
″
厚 单独的
sided), t
5.0 秒.
2 amperes
20 伏特
R
ds(在)
= 65 m
3
4
1256
设备 包装 Shipping
†
订货 信息
NTGS3443T1 TSOP−6 3000 录音带 &放大; 卷轴
P−Channel
TSOP−6
情况 318g
样式 1
标记
图解
443 = 设备 代号
W = 工作 week
管脚 分派
321
4
GateDrain
源
56
流
DrainDrain
http://onsemi.com
NTGS3443T1G TSOP−6 3000 录音带 &放大; 卷轴
443
W
†for 信息 在 录音带 和 卷轴 规格,
包含 部分 方向 和 录音带 sizes, 请
谈及 至我们的 tape 和 卷轴 包装 规格
brochure, brd8011/d.
: 点此下载
