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资料编号:1119102
 
资料名称:NCP1653A
 
文件大小: 133K
   
说明
 
介绍:
3 A Dual High-Speed MOSFET Drivers
 
 


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NCP4330
http://onsemi.com
10
图示 25. high−side 场效应晶体管 职责 循环 vs. i_ramp
情况: 切换 频率: 400 khz, 重置 脉冲波
持续时间: 250 ns, 切换 延迟 (在 ls 和 hs):
100 ns, cramp = 100 pf.
0
25
50
75
100
0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5
i_ramp (毫安)
d (%)
一个 能 便条 那 这 职责 循环 增加 当 这
i_ramp 电流 增加. 这 职责 循环 是 零 如果 这
i_ramp 电流 是 在下 关于 110
µ
一个.
这 职责 循环 是 限制 至关于 81% mainly 用 这 重置
时间 和这 100 ns 延迟 那 所有 一起 代表 14% 的
这 时期. 在 一个 100 khz 应用, 这 相关的 impact 的
这些 时间 将是 减少 和 这 最大 职责 循环
将 是 高等级的 (在 这 范围 的 92%).
在 事实, 这 high−side on−times 是 有用的 仅有的 在 这
向前on−times.
最终, 如果这 职责 循环 的 这 向前
转换器 是较少 比 80%, 一个 能 考虑 那 这 有用的
邮递 调整器 职责 循环 能 相异 在 0 和 100%.
它 能 也 是 指出 那 这 hs 场效应晶体管 能 是 转变
在 当 这 向前 电源 转变 是 止, 这 向前
free−wheeling 场效应晶体管 (q2) 是 在 和 然后 非 电压 是
应用 至 这 post−regulator. 这个 是 不 一个 公布 自从 这
mosfets q2 和 q3derive 这 l2 coil 电流 所以 那 这
自由 转动 运作 持续 (谈及 至 应用
图式).
不管怎样,此类 一个 situation 应当 出现 仅有的 在瞬时
阶段. 应当 这个状态 出现 too frequently, 一个 过度的
加热 的 这 q2 转变 可以 是 生产.
图示 26. hs 场效应晶体管 职责 循环 vs. i_ramp (zoom)
0
10
20
30
40
50
60
70
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6
i_ramp (毫安)
d (%)
重置 块
这 “reset” 管脚 应当 receive 这 free−wheeling 驱动
信号 的这 向前 (谈及 至 应用 图式). 当
这个 电压 超过 这 重置 块 门槛 (2.55 v
典型地), 这c_ramp 电容 是 grounded 用 一个 内部的
转变为 关于 250 ns 和 这 low−side 场效应晶体管 是 转变
在. 这 电路 是 然后 initialized 为 一个 新 循环.
这 电压 那 是 应用 至 这 “reset” 管脚, 将 是
负的 在 一个 部分 的 这 时期. 这 ncp4330
包含 一个 负的 clamp 系统 至 避免 那 too
负的 电压 在 这 管脚 将 导致 carriers injection
在里面这 消逝. 这 负的 clamp acts 至 强迫 一个 最小
电压 的 关于 –0.3 v 在 conjunction 和 这 外部
电阻r3. 它 特性 一个 电流 能力 的 关于 2.0 毫安.
图示 27. 重置 块
q?
NPN
负的
Clamp
rst 管脚
c_ramp
C
R3
1
2
3
250 ns
重置 管脚
Vdelay
Vdelay
Ctrl
Ctrl
250 ns
电压
hyst 竞赛
+
重置 信号
2.55 v/
1.55 v
V
DD
V
DD
至 hs 和 ls 驱动器
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