13
fn9062.2
april 13, 2004
Q1
这 npn 晶体管 使用 作 睡眠 状态 通过 元素 在 这
3.3v
双
输出 有 至 有 一个 最小 电流 增益 的 100
在 1.5v v
CE
和 650ma i
CE
全部地 这 在-电路
运行 温度 范围. 为 大 电流 比率 在
这 3.3v
双
输出 (供应 这 atx 5v
SB
输出 比率
是 equally 扩展), 选择 criteria 为 q1 包含 一个
适合的 电流 增益 (h
fe
) 和 饱和 特性.
q2, q4
这些 n-频道 mosfets 是使用 至 转变 这 3.3v
和 5v 输入 提供 用 这 atx 供应 在 这
3.3v
双
/3.3v
SB
和 5v
双
输出 当 在 起作用的 (s0,
s1) 状态. 这 主要的 criteria为 这 选择 的 这些
晶体管 是 输出 电压 budgeting. 这 最大
r
ds(在)
允许 在 最高的 接合面 温度 能 是
表示 和 这 下列的 等式:
, 在哪里
V
INmin
- 最小 输入 电压
V
OUTmin
- 最小 输出 电压 允许
I
OUTmax
- 最大 输出 电流
Q3
如果 一个 p-频道 场效应晶体管 是 使用 至 转变 这 5v
SB
输出 的
这 atx 供应 在 这 5v
双
输出 在 睡眠 states,
然后 这 选择 criteria 的 这个 设备 是 恰当的 电压
budgeting. 这 最大 r
ds(在)
, 不管怎样, 有 至 是
达到 和 仅有的 4.5v 的 门-至-源 电压, 所以 一个 逻辑
水平的 场效应晶体管 needs 至 是 选择. 如果 一个 pnp 设备 是
选择 至 执行 这个 函数, 它 有 至 有 一个 低-
饱和 电压 当 供应 这 最大 睡眠
电流 和 有 一个 电流 增益 sufficiently 高 至 是
saturated 使用 这 最小 驱动 电流 (典型地 20ma).
isl6504 应用 电路
图示 12 显示 一个 典型 应用 电路 为 这
isl6504/一个. 这 电路 提供 这 3.3v
双
/3.3v
SB
电压, 这 ich4 重新开始 好 1.5v
SB
电压, 这 1.2v
VID
电压 identification 输出, 和 这 5v
双
键盘/mouse 电压 从 +3.3v, +5v
SB
, +5v, 和
+12vdc atx 供应 输出. q3 能 也 是 一个 pnp
晶体管, 此类 作 一个 mmbt2907al. 为 额外的, 更多
详细地 信息 在 这 电路, 包含 一个 bill-的-
材料 和 电路 板 描述, 看 应用 便条
an1001.也 看 intersil 公司’s 网 页
(www.intersil.com).
r
DS 在
()
最大值
V
INmin
V
OUTmin
–
I
OUTmax
---------------------------------------------------=
图示 12. 典型 isl6504/一个 应用 图解
C1
1mF
220mF
330mF
地
5VSB
S3
isl6504/一个
S5
+3.3vdual/3.3vsb
C6
+5VDUAL
3V3DL
3V3DLSB
Q1
Q3
Q4
DLA
5VDLSB
故障
5VDL
SS
+
+
2SD1802
FDV304P
HUF76113T3S
C4
U1
+5VSB
+5VIN
+12VIN
+3.3vin
‘FAULT’
3V3
16
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
+1.5vsb
Q2
HUF76113T3S
1V5SB
10mF
1V2VID
C3
+
+1.2vvid
10mF
C5
+
R1
1k
14
vid_pg
‘vid pgood’
R2
10k
15
vid_ct
C2
0.1mf
C7
0.1mf
S3
S5
R3
1k
isl6504, isl6504a
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