2
fn481.6
二月 7, 2006
绝对 最大 ratings 热的 信息
这 下列的 比率 应用 为各自 晶体管 在 这 设备:
集电级-至-发射级 电压, v
CEO
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15v
集电级-至-根基 电压, v
CBO
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20v
集电级-至-基质 电压, v
CIO
(便条 1). . . . . . . . . . . . . . 20v
发射级-至-根基 电压, v
EBO
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5v
集电级 电流 (i
C
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100ma
根基 电流 (i
B
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20ma
运行 情况
温度 范围. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .-55°c 至 125°c
热的 阻抗 (典型, 便条 2)
θ
JA
(°c/w)
θ
JC
(°c/w)
pdip 包装. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 135 n/一个
soic 包装 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200 n/一个
最大 电源 消耗 (任何 one 晶体管) . . . . . . .500mW
最大 接合面 温度 (塑料 包装) . . . . . . . 150°C
最大 存储 温度 范围 . . . . . . . . . -65°c 至 150°c
最大 含铅的 温度 (焊接 10s) . . . . . . . . . . . . 300°C
(soic - 含铅的 tips 仅有的)
提醒: 压力 在之上 那些 列表 在 “absolute 最大 ratings” 将 导致 永久的 damage 至 这 设备. 这个 是 一个 压力 only 比率 和 运作 的 这
设备 在 这些 或者 任何 其它 情况 在之上 那些 表明 在这 运算的 sections 的 这个 规格 是 不 暗指.
注释:
1. 这 集电级 的 各自 晶体管 的 这 ca3083 是 分开的 从这 基质 用 一个 integral 二极管. 这 基质 必须 是 连接 至 一个 电压
这个 是 更多 负的 比 任何 集电级 电压 在 顺序 至维持 分开 在 晶体管 和 提供 正常的 transistor action. 至
避免 undesired 连接 在 晶体管, 这 基质 终端 (5) 应当是 maintained 在 也 直流 或者 信号 (交流) ground. 一个 合适的
绕过 电容 能 是 使用至 establish 一个 信号 地面.
2.
θ
JA
是 量过的 和 这 组件 挂载ed 在 一个 evaluation pc 板 在 自由 空气.
电的 规格
为 设备 设计, t
一个
= 25°c
参数 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
为 各自 晶体管
集电级-至-根基 损坏 电压 V
(br)cbo
I
C
= 100
µ
一个, i
E
= 0 20 60 - V
集电级-至-发射级 损坏 电压 V
(br)ceo
I
C
= 1ma, i
B
= 0 15 24 - V
集电级-至-基质 损坏 电压 V
(br)cio
I
CI
= 100
µ
一个, i
B
= 0, i
E
= 0 20 60 - V
发射级-至-根基 损坏 电压 V
(br)ebo
I
E
= 500
µ
一个, i
C
= 0 5 6.9 - V
集电级-截止-电流 I
CEO
V
CE
= 10v, i
B
= 0 - - 10
µ
一个
集电级-截止-电流 I
CBO
V
CB
= 10v, i
E
= 0 - - 1
µ
一个
直流 向前-电流 转移 比率 (便条 3) (图示 1) h
FE
V
CE
= 3v
I
C
= 10ma
40 76 -
I
C
= 50ma
40 75 -
根基-至-发射级 电压 (图示 2) V
是
V
CE
= 3v, i
C
= 10ma 0.65 0.74 0.85 V
集电级-至-发射级 饱和 电压 (计算数量 3, 4) V
ce sat
I
C
= 50ma, i
B
= 5ma - 0.40 0.70 V
增益 带宽 产品 f
T
V
CE
= 3v, i
C
= 10ma - 450 - MHz
为 晶体管 q
1
和 q
2
(作 一个 差别的 放大器)
绝对 输入 补偿 电压 (图示 6) |V
IO
|V
CE
= 3v, i
C
= 1ma - 1.2 5 mV
绝对 输入 补偿 电流 (图示 7) |I
IO
|V
CE
= 3v, i
C
= 1ma - 0.7 2.5
µ
一个
便条:
3. 真实的 forcing 电流 是 通过 这 发射级 为 这个 测试.
CA3083
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