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3
fn481.6
二月 7, 2006
典型 效能 曲线
图示 1. h
FE
vs i
C
图示 2. V
是
vs i
C
图示 3. V
ce sat
vs i
C
图示 4. V
ce sat
vs i
C
图示 5. V
是 sat
vs i
C
图示 6. V
IO
vs i
C
(晶体管 q
1
和 q
2
作 一个
差别的 放大器)
V
CE
= 3v
集电级 电流 (毫安)
直流 向前 电流 转移 比率
T
一个
= 0°c
T
一个
= 25°c
0.1 1 10 100
60
50
70
80
90
100
T
一个
= 70°c
V
CE
= 3v
集电级 电流 (毫安)
根基-至-发射级 电压 (v)
T
一个
= 70°c
T
一个
= 25°c
0.1 1 10 100
0.6
0.5
0.7
0.8
0.9
T
一个
= 0°c
h
FE
= 10, t
一个
= 25
o
C
集电级 电流 (毫安)
集电级-至-发射级
1 10 100
0.2
0
0.4
0.6
0.8
1
最大
典型
饱和 电压 (v)
集电级 电流 (毫安)
集电级-至-发射级
110100
0.2
0
0.4
0.6
0.8
1
1.2
最大
h
FE
= 10, t
一个
= 70°c
典型
饱和 电压 (v)
h
FE
= 10, t
一个
= 25°c
集电级 电流 (毫安)
根基-至-发射级
110100
0.6
0.5
0.7
0.8
0.9
1
饱和 电压 (v)
V
CE
= 3v, t
一个
= 25°c
集电级 电流 (毫安)
绝对 输入 补偿 电压 (mv)
0.1 1 10
1
0
2
3
4
5
6
CA3083

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3 fn481.6 二月 7, 2006 典型效能曲线图示 1. h FE vs i C 图示 2. V 是 vs i C 图示 3. V ce sat vs i C 图示 4. V ce sat vs i C 图示 5. V 是 sat vs i C 图示 6. V IO vs i C (晶体管 q 1 和 q 2 作一个差别的放大器) V CE = 3v 集电级电流 (毫安) 直流向前电流转移比率 T 一个 = 0°c T 一个 = 25°c 0.1 1 10 100 60 50 70 80 90 100 T 一个 = 70°c V CE = 3v 集电级电流 (毫安) 根基-至-发射级电压 (v) T 一个 = 70°c T 一个 = 25°c 0.1 1 10 100 0.6 0.5 0.7 0.8 0.9 T 一个 = 0°c h FE = 10, t 一个 = 25 o C 集电级电流 (毫安) 集电级-至-发射级 1 10 100 0.2 0 0.4 0.6 0.8 1 最大典型饱和电压 (v) 集电级电流 (毫安) 集电级-至-发射级 110100 0.2 0 0.4 0.6 0.8 1 1.2 最大 h FE = 10, t 一个 = 70°c 典型饱和电压 (v) h FE = 10, t 一个 = 25°c 集电级电流 (毫安) 根基-至-发射级 110100 0.6 0.5 0.7 0.8 0.9 1 饱和电压 (v) V CE = 3v, t 一个 = 25°c 集电级电流 (毫安) 绝对输入补偿电压 (mv) 0.1 1 10 1 0 2 3 4 5 6 CA3083

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