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rf 设备 数据
freescale 半导体
mw5ic2030mbr1 mw5ic2030gmbr1
116
图示 3. mw5ic2030mbr1(gmbr1)测试 电路 图式
RF
输出
RF
输入
Z1
V
D2
Z9
Z8
C5
C20
Z3 Z4 Z5
Z6
Z7
C3
C4
C1
V
BIAS2
R2 R5C10 C16
V
RD2
C13
2
3
4
5
6
7
8
NC
NC
14
15
12
13
+
C8
Z11
V
BIAS1
R1 R4C11 C15
V
RG1
/v
GS1
C14
V
偏差
R2
11
10
9
NC
安静的 电流
温度
补偿
C2
NC
C17
+
C18
+
Z2
C7
V
D1
R3
R6
C12
Z10
C9
+
C6C19
V
RD1
Z7 0.200
″
x 0.025
″
Microstrip
Z8 0.274
″
x 0.050
″
Microstrip
Z9 0.615
″
x 0.050
″
Microstrip
Z10 0.450
″
x 0.025
″
Microstrip
Z11 0.340
″
x 0.014
″
Microstrip
PCB rogers 4350, 0.020
″
,
ε
r
= 3.5
Z1 0.465
″
x 0.041
″
Microstrip
Z2 0.518
″
x 0.041
″
Microstrip
Z3 0.282
″
x 0.235
″
Microstrip
Z4 0.221
″
x 0.081
″
Microstrip
Z5 0.489
″
x 0.041
″
Microstrip
Z6 0.471
″
x 0.025
″
Microstrip
表格 6. mw5ic2030mbr1(gmbr1) 测试 电路 组件 designations 和 值
部分 描述 部分 号码 生产者
C1 1.8 pf 高 q 碎片 电容 (0603) 600S1R8AT-250-T 在C
C2 1.5 pf 高 q 碎片 电容 (0603) 600S1R5AT-250-T 在C
C3 3.9 pf 高 q 碎片 电容 (0603) 600S3R9AT-250-T 在C
C4 6.8 pf 高 q 碎片 电容 (0805) 600S6R8AT-250-T 在C
c5, c6 100 pf 类 1 npo 碎片 电容 (0805) GRM215CB1H101CZ01D Murata
C7 4.7 pf 类 1 npo 碎片 电容 (0805) GRM215CB1H4R7CZ01D Murata
c8, c9, c10, c11 0.1
µ
f x7r 碎片 电容 (1206) C1206C104K5RACT Kemet
c12, c13, c14, c15, c16 0.01
µ
f 类 2 x7r 碎片 电容 (0805) C0805C103K5RACT Kemet
c17, c18 22
µ
f, 35 v electrolytic 电容 ECE-1AVKS220 Panasonic
c19, c20 330
µ
f, 50 v electrolytic 电容 ECA-1HM331 Panasonic
r1, r3
1 k
, 5% 碎片 电阻器 (0805)
R2
499
, 1% 碎片 电阻 (0805)
r4, r5, r6
100 k
, 5% 碎片 电阻器 (0805)
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