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rf 设备 数据
freescale 半导体
mw5ic2030mbr1 mw5ic2030gmbr1
典型 特性
2000
20
27
1920
T
C
= −30
C
f, 频率 (mhz)
图示 15. 电源 增益 相比 频率
G
ps
, 电源 增益 (db)
V
DD
= 27 vdc, p
输出
= 5 w (cw), i
DQ1
= 160 毫安, i
DQ2
= 230 毫安
f1 = 1960 mhz, f2 = 1960.1 mhz, two−tone度量
25
C
85
C
26
25
24
23
22
21
1930 1940 1950 1960 1970 1980 1990 100
0
8
1
0
40
P
输出
, 输出 电源 (watts) avg.
图示 16. evm 和 流 效率 相比
输出 电源
evm, 错误 vector 巨大 (% rms)
V
DD
= 27 vdc
I
DQ1
= 160 毫安
I
DQ2
= 230 毫安
f = 1960 mhz
25
C
85
C
T
C
= −30
C
源 evm = 0.60%
630
420
210
10
100
−85
−45
0
25
C
sr @ 400 khz
P
输出
, 输出 电源 (watts) avg.
图示 17. 谱的 regrowth 在 400 khz 和 600 khz
相比 输出 电源
V
DD
= 27 vdc
I
DQ1
= 160 毫安
I
DQ2
= 230 毫安
边缘 调制
f = 1960 mhz
sr @ 600 khz
25
C
85
C
85
C
−50
−55
−60
−65
−70
−75
−80
10
T
C
= −30
C
−30
C
谱的 regrowth @ 400 khz 和 600 khz (dbc)
40
−80
−40
22
ALT2
P
输出
, is−95 输出 电源 (dbm)
图示 18. 单独的-运输车 n-cdma acpr,
alt1 和 alt2 相比 输出 电源
V
DD
= 27 vdc
I
DQ1
= 160 毫安, i
DQ2
= 230 毫安
f = 1960 mhz
n−cdma is−95 (领航员, 同步, paging,
交通量 代号 8 通过 13)
ACPR
ALT1
−45
−50
−55
−60
−65
−70
−75
23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39
alt 1 &放大; 2, alternate 1 &放大; 2 频道 电源 比率 (dbc)
acpr, 调整 频道 电源 比率 (dbc)
100
−60
−10
0
25
C
P
输出
, 输出 电源 (watts) cw
图示 19. 嵌入 阶段 相比 输出 电源
嵌入 阶段 ( )
T
C
= −30
C
85
C
−20
−30
−40
−50
110
T
J
, 接合面 温度 (
°
c)
这个 在之上 图表 显示 计算 mttf 在 小时 x ampere
2
流 电流. 生命 tests 在 提升 温度 有 correlated 至
更好的比
±
10% 的 这 theoretical prediction 为 metal 失败. 分隔
mttf 因素 用 i
D
2
为 mttf 在 一个 particular 应用.
图示 20. mttf 因素 相比 接合面 温度
190
1.e+09
90
1st 平台
mttf 因素 (小时 x 放大器
2
)
2nd 平台
100 110 120 130 140 150 160 170 180
1.e+08
1.e+07
1.e+06
η
D
η
D
,
流 效率 (%)
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