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资料编号:1123746
 
资料名称:MRFG35010
 
文件大小: 528K
   
说明
 
介绍:
Gallium Arsenide PHEMT
 
 


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freescale 半导体
无线的 rf 产品 设备 数据
MRFG35010
表格 3. 电的 特性
(t
C
= 25
°
c 除非 否则 指出)
典型的
标识 最小值 Typ 最大值 单位
saturated 流 电流
(v
DS
= 3.5 vdc, v
GS
= 0 vdc)
I
DSS
2.9 模数转换器
止 状态 泄漏 电流
(v
GS
=
0.4 vdc, v
DS
= 0 vdc)
I
GSS
< 1.0 100
µ
模数转换器
止 状态 流 电流
(v
DS
= 12 vdc, v
GS
=
1.9 vdc)
I
DSO
0.09 1.0 mAdc
止 状态 电流
(v
DS
= 28.5 vdc, v
GS
=
2.5 vdc)
I
DSX
5.0 15 mAdc
源 截
止 电压
(v
DS
= 3.5 vdc, i
DS
= 15 毫安)
V
gs(th)
1.2
0.8
0.7 Vdc
安静的 门 电压
(v
DS
= 12 vdc, i
D
= 180 毫安)
V
gs(q)
1.0
0.8
0.5 Vdc
电源 增益
(v
DD
= 12 vdc, i
DQ
= 180 毫安, f = 3.55 ghz)
G
ps
9.0 10 dB
输出 电源, 1 db 压缩 要点
(v
DD
= 12 vdc, i
DQ
= 180 毫安, f = 3.55 ghz)
P1dB 10 W
流 效率
(v
DD
= 12 vdc, i
DQ
= 180 毫安, p
输出
= 1.0 w avg.,
f = 3.55 ghz)
D
23 30 %
调整 频道 电源 比率
(v
DD
= 12 vdc, p
输出
= 1.0 w avg., i
DQ
= 180 毫安,
f = 3.55 ghz, w
cdma, 8.5 p/一个 @ 0.01% probability,
64 ch, 3.84 mcps)
ACPR
42
40 dBc
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