MRFG35010
5
−
1
freescale 半导体
无线的 rf 产品 设备 数据
镓 砷化物 phemt
rf 电源 地方 效应 晶体管
设计 为 wll/mmds 或者 umts 驱动器 产品 和 发生率 从
1.8 至 3.6 ghz. 设备 是 unmatched 和 是 合适的 为 使用 在 类 ab 或者
类 一个 直线的 根基 station 产品.
•
典型 w
−
cdma 效能:
−
42 dbc acpr, 3.55 ghz, 12 伏特,
I
DQ
= 180 毫安, 5 mhz 补偿/3.84 mhz bw, 64 dpch (8.5 db p/a
@ 0.01% probability)
输出 电源 — 1 watt
电源 增益 — 10 db
效率 — 30%
•
10 watts p1db @ 3.55 ghz
•
极好的 阶段 线性 和 组 延迟 特性
•
高 增益, 高 效率 和 高 线性
表格 1. 最大 比率
比率 标识 值 单位
流
−
源 电压 V
DSS
15 Vdc
总的 设备 消耗 @ t
C
= 25
°
C
减额 在之上 25
°
C
P
D
28.3
0.19
W
w/
°
C
门
−
源 电压 V
GS
−
5 Vdc
rf 输入 电源 P
在
33 dBm
存储 温度 范围 T
stg
−
65 至 +175
°
C
频道 温度
(1)
T
ch
175
°
C
运行 情况 温度 范围 T
C
−
20 至 +90
°
C
表格 2. 热的 特性
典型的 标识 值 单位
热的 阻抗, 接合面 至 情况 类 一个
类 ab
R
θ
JC
5.3
4.8
°
c/w
1. 为 可依靠的 运作, 这 运行 频道 温度 应当 不 超过 150
°
c.
MRFG35010
rev. 6, 12/2004
freescale 半导体
技术的 数据
3.5 ghz, 10 w, 12 v
电源 场效应晶体管
gaas phemt
MRFG35010
情况 360d
−
02, 样式 1
NI
−
360HF
©
freescale 半导体, inc., 2004. 所有 权利 保留.
: 点此下载
