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资料编号:1123766
 
资料名称:MRF9045LR1
 
文件大小: 452K
   
说明
 
介绍:
RF Power Field Effect Transistors
 
 


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rf 设备 数据
freescale 半导体
mrf9045lr1 mrf9045lsr1
表格 4. 电的 特性
(t
C
= 25
°
c 除非 否则 指出)
典型的
标识 最小值 Typ 最大值 单位
止 特性
零 门 电压 流 泄漏 电流
(v
DS
= 65 vdc, v
GS
= 0 vdc)
I
DSS
10
µ
模数转换器
零 门 电压 流 泄漏 电流
(v
DS
= 28 vdc, v
GS
= 0 vdc)
I
DSS
1
µ
模数转换器
源 泄漏 电流
(v
GS
= 5 vdc, v
DS
= 0 vdc)
I
GSS
1
µ
模数转换器
在 特性
门 门槛 电压
(v
DS
= 10 vdc, i
D
= 150
µ
模数转换器)
V
gs(th)
2 3 4 Vdc
门 安静的 电压
(v
DS
= 28 vdc, i
D
= 350 madc)
V
gs(q)
3.7 Vdc
源 在
电压
(v
GS
= 10 vdc, i
D
= 1 模数转换器)
V
ds(在)
0.19 0.4 Vdc
向前 跨导
(v
DS
= 10 vdc, i
D
= 3 模数转换器)
g
fs
4 S
动态 特性
输入 电容
(v
DS
= 28 vdc
±
30 mv(rms)交流 @ 1 mhz, v
GS
= 0 vdc)
C
iss
69 pF
输出 电容
(v
DS
= 28 vdc
±
30 mv(rms)交流 @ 1 mhz, v
GS
= 0 vdc)
C
oss
37 pF
反转 转移 电容
(v
DS
= 28 vdc
±
30 mv(rms)交流 @ 1 mhz, v
GS
= 0 vdc)
C
rss
1.5 pF
(持续)
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