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资料编号:1123766
 
资料名称:MRF9045LR1
 
文件大小: 452K
   
说明
 
介绍:
RF Power Field Effect Transistors
 
 


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mrf9045lr1 mrf9045lsr1
3
rf 设备 数据
freescale 半导体
表格 4. 电的 特性
(t
C
= 25
°
c 除非 否则 指出)
(持续)
典型的 标识 最小值 Typ 最大值 单位
函数的 tests
(在 freescale 测试 fixture, 50 ohm 系统)
声调 一般
源 放大器 电源 增益
(v
DD
= 28 vdc, p
输出
= 45 w pep, i
DQ
= 350 毫安,
f1 = 945.0 mhz, f2 = 945.1 mhz)
G
ps
17 18.8 dB
声调 流 效率
(v
DD
= 28 vdc, p
输出
= 45 w pep, i
DQ
= 350 毫安,
f1 = 945.0 mhz, f2 = 945.1 mhz)
η
38 42 %
3rd 顺序 交调 扭曲量
(v
DD
= 28 vdc, p
输出
= 45 w pep, i
DQ
= 350 毫安,
f1 = 945.0 mhz, f2 = 945.1 mhz)
IMD
32
28 dBc
输入 返回 丧失
(v
DD
= 28 vdc, p
输出
= 45 w pep, i
DQ
= 350 毫安,
f1 = 945.0 mhz, f2 = 945.1 mhz)
IRL
14
9 dB
声调 一般
源 放大器 电源 增益
(v
DD
= 28 vdc, p
输出
= 45 w pep, i
DQ
= 350 毫安,
f1 = 930.0 mhz, f2 = 930.1 mhz 和 f1 = 960.0 mhz,
f2 = 960.1 mhz)
G
ps
18.5 dB
声调 流 效率
(v
DD
= 28 vdc, p
输出
= 45 w pep, i
DQ
= 350 毫安,
f1 = 930.0 mhz, f2 = 930.1 mhz 和 f1 = 960.0 mhz,
f2 = 960.1 mhz)
η
41 %
3rd 顺序 交调 扭曲量
(v
DD
= 28 vdc, p
输出
= 45 w pep, i
DQ
= 350 毫安,
f1 = 930.0 mhz, f2 = 930.1 mhz 和 f1 = 960.0 mhz,
f2 = 960.1 mhz)
IMD
33 dBc
输入 返回 丧失
(v
DD
= 28 vdc, p
输出
= 45 w pep, i
DQ
= 350 毫安,
f1 = 930.0 mhz, f2 = 930.1 mhz 和 f1 = 960.0 mhz,
f2 = 960.1 mhz)
IRL 13 dB
电源 输出, 1 db 压缩 要点
(v
DD
= 28 vdc, p
输出
= 45 w cw, i
DQ
= 350 毫安,
f1 = 945.0 mhz)
P
1dB
55 W
一般
源 放大器 电源 增益
(v
DD
= 28 vdc, p
输出
= 45 w cw, i
DQ
= 350 毫安,
f1 = 945.0 mhz)
G
ps
18 dB
流 效率
(v
DD
= 28 vdc, p
输出
= 45 w cw, i
DQ
= 350 毫安,
f1 = 945.0 mhz)
η
60 %
输出 mismatch 压力
(v
DD
= 28 vdc, p
输出
= 45 w cw, i
DQ
= 350 毫安,
f = 945.0 mhz, vswr = 10:1, 所有 阶段 angles 在 频率
的 tests)
Ψ
非 降级 在 输出 电源
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