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资料编号:1125055
 
资料名称:CY7C1992BV18
 
文件大小: 256K
   
说明
 
介绍:
18-Mbit DDR-II SIO SRAM 2-Word
 
 


: 点此下载
 
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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
256k (32k x 8) 静态的 内存
CY7C199C
Cypress 半导体 公司
3901 第一 街道 San Jose
,
ca 95134 408-943-2600
文档 #: 38-05408 rev. *b 修订 十一月 05, 2004
特性
快 进入 时间: 12 ns, 15 ns, 20 ns, 和 25 ns
宽 电压 范围: 5.0v ± 10% (4.5v 至 5.5v)
cmos 为 最佳的 速/电源
ttl–compatible 输入 和 输出
有 在 28 插件, 28 soj, 和 28 tsop i 包装
也 有 在 含铅的-自由 28 插件
2.0v 数据 保持
automated 电源-向下 当 deselected
一般 描述
这 cy7c199c 是 一个 高-效能 cmos 异步的
sram 有组织的 作 32k 用 8 位 那 支持 一个
异步的 记忆 interface. 这 设备 特性 一个
自动 电源-向下 特性那 significantly 减少
电源 消耗量 当 deselected.
看 这 真实 表格 在 这个 数据 薄板 为 一个 完全
描述 的 读 和 写 模式.
这 cy7c199c 是 有 在28 插件, 28 soj, 和 28 tsop I
包装(s).
产品 portfolio
便条:
1. 为 最好的-practices recommendations, 请 谈及 至 这 cypress 应用 便条
系统 设计 指导原则
在 www.cypress.com.
行 解码器
内存 排列
column 解码器
输入 缓存区
sense 放大器
一个
X
电源
向下
电路
i/ox
OE
我们
CE
X
逻辑 块 图解
12 ns 15 ns 20 ns 25 ns 单位
最大 进入 时间 12 15 20 25 ns
最大 运行 电流 85 80 75 75 毫安
最大 cmos 备用物品 电流
(低 电源)
500 500 500 500
µ
一个
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