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资料编号:1125055
 
资料名称:CY7C1992BV18
 
文件大小: 256K
   
说明
 
介绍:
18-Mbit DDR-II SIO SRAM 2-Word
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
CY7C199C
文档 #: 38-05408 rev. *b 页 5 的 13
交流 测试 负载
I
SB2
自动 ce
电源-向下 电流
cmos 输入
最大值 v
CC
, ce
V
CC
– 0.3v, v
V
CC
– 0.3v, 或者 v
0.3v, f = 0
10 10 毫安
L 500 500
µ
一个
I
OZ
输出 泄漏
电流
Vi
V
CC
, 输出 无能 –5 +5 –5 +5
µ
一个
I
IX
输入 加载 电流
Vi
V
CC
–5 +5 –5 +5
µ
一个
直流 电的 特性
在 这 运行 范围 (–20, –25)
[2]
(持续)
参数 描述 情况 电源
20 ns 25 ns
单位最小值 最大值 最小值 最大值
电容
[3]
参数 描述 情况
最大值
单位所有 – 包装
C
输入 电容 T
一个
= 25°c, f = 1 mhz,
V
CC
= 5.0v
8 pF
C
输出
输出 电容 8
V
CC
V
SS
上升 时间
1 v/ns
下降 时间
1 v/ns
所有 输入 脉冲
90%
10%
90%
10%
V
输出
R1
R2C1
CC
V
输出
R3
C2
CC
R4
输出 负载
输出 负载
为 t
HZOE
,t
HZCE
&放大;t
HZWE
* 包含 scope 和 jig 电容
(b)*
(一个)*
R
th
T
V
thevenin 相等的
交流 测试 情况
参数 描述 nom. 单位
C1 电容 1 30 pF
C2 电容 2 5
R1 电阻 1 480
R2 电阻 2 255
R3 电阻 3 480
R4 电阻 4 255
R
TH
电阻 thevenin 167
V
TH
电压 thevenin 1.73 V
便条:
3. 测试 initially 和 之后 任何 设计 或者 处理 改变 那 将 影响 这些 参数.
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